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원자층 성장법을 이용한 반도체 양자점 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015123539
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다. 반도체 양자점, S-K 방법, ALE 방법, 웨팅(wetting)층, 성장정지 시간
Int. CL H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020030074986 (2003.10.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0508850-0000 (2005.08.09)
공개번호/일자 10-2005-0039911 (2005.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20050818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송진동 대한민국 서울특별시성북구
2 박용주 대한민국 서울특별시성북구
3 최원준 대한민국 서울특별시강북구
4 한일기 대한민국 서울특별시노원구
5 이정일 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 세미솔루션 경기도 화성
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0400124-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0041977-05
4 등록결정서
Decision to grant		 2005.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0367165-98
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
반도체 양자점을 성장시키기 위한 방법에 있어서, a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 상기 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 상기 반도체 양자점을 성장시키는 단계 를 포함하되, 상기 단계 b)는 ALE(Atomic Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 상기 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함하는 반도체 양자점 성장 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 주입되는 상기 물질들의 두께는 1 내지 2 단일층두께를 갖는 반도체 양자점 성장 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 물질들은 상기 기판과 격자부정합도가 높은 물질들인 반도체 양자점 성장 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 주입 물질들 중 상기 금속 원자는 상기 시간 간격 동안 상호 뭉침 작용을 통해 반도체 양자점으로 성장하고, 상기 비금속 원자는 상기 성장된 반도체 양자점을 상기 기판 상에 고정시키는 반도체 양자점 성장 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 시간 간격은 상기 주입 물질들의 종류에 근거하여 설정되는 반도체 양자점 성장 방법
6 5
제 1 항에 있어서, 상기 시간 간격은 상기 주입 물질들의 종류에 근거하여 설정되는 반도체 양자점 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.