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고보자력 자성박막 열처리 방법

  • 기술번호 : KST2015123618
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고보자력 자성박막의 후열처리 온도를 낮추고 후열처리 시간을 단축시키기 위하여, 상압하의 산소 분율이 1 - 100% 인 산소 + 알곤 분위기 로에서 자성박막의 비규칙/규칙 상변이 온도 이상의 온도로 자성박막을 후열처리하는 FePt 또는 CoPt 자성박막의 후열처리방법과, 1 X 10-2 torr 이하의 진공도하의 산소분율이 50% - 10%인 산화 분위기에서 자성박막의 비규칙/규칙 상변이 온도 이상의 온도로 자성박막을 후열처리하는 FePt 또는 CoPt 자성박막의 후열처리방법을 제공한다.
Int. CL G11B 5/66 (2006.01)
CPC G11B 5/66(2013.01) G11B 5/66(2013.01) G11B 5/66(2013.01)
출원번호/일자 1019990042479 (1999.10.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0333496-0000 (2002.04.09)
공개번호/일자 10-2001-0035758 (2001.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20020425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나종갑 대한민국 서울특별시도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.10.02 수리 (Accepted) 1-1-1999-0122998-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0217293-56
4 의견서
Written Opinion		 2001.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2001-0257301-14
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.10.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0257303-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
7 등록결정서
Decision to grant		 2002.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0091785-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

상압하의 산소 분율이 1 - 100% 인 산소 + 알곤 분위기 로에서 자성박막의 비규칙/규칙 상변이 온도 이상의 온도로 자성박막을 후열처리하는 것을 특징으로 하는 FePt 또는 CoPt 자성박막의 후열처리방법

2 2

1 X 10-2 torr 이하의 진공도하의 산소분율이 50% - 10%인 산화 분위기에서 자성박막의 비규칙/규칙 상변이 온도 이상의 온도로 자성박막을 후열처리하는 것을 특징으로 하는 FePt 또는 CoPt 자성박막의 후열처리방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자성박막의 비규칙/규칙 상변이 온도는 500℃ 이하인 것을 특징으로 하는 FePt 또는 CoPt 자성박막의 후열처리방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.