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투명 전도성 기판 위에 염료가 흡착된 금속산화물 나노입자층을 포함하는 광전극,
상기 광전극에 서로 마주보며 배치되며, 투명 전도성 기판 위에 차례로 형성된 백금층과 염료가 흡착된 금속산화물 나노입자층을 포함하는 상대전극, 및
상기 광전극과 상대전극 사이를 충진하는 전해질을 포함하며,
상기 광전극 및 상대전극의 금속산화물 나노입자층은 서로 마주보도록 배치되어 단일 전지내에서 계면 접촉된 구조를 가지며,
상기 광전극 및 상대전극의 금속산화물 나노입자층은 타이타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 징크(Zn)산화물, 인듐(In)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 텅스텐(W)산화물, 틴(Sn)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 및 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 포함하는 염료감응 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 광전극과 상대전극의 염료는 서로 같거나 다른 흡수파장 영역을 가지는 것인, 염료감응 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 상대전극은 금속산화물 나노입자층과 백금층 사이에 절연층을 더 포함하는 것인, 염료감응 태양전지
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제4항에 있어서,
상기 절연층은 타이타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 징크(Zn)산화물, 인듐(In)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 텅스텐(W)산화물, 틴(Sn)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 및 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 물질을 포함하는, 염료감응 태양전지
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(a) 투명 전도성 기판의 일면에 금속산화물 나노입자 페이스트를 도포하고 열처리하여 금속산화물 나노입자층을 형성시키는 단계;
(b) 상기 (a)의 금속산화물 나노입자층에 염료를 흡착시켜 광전극을 제조하는 단계;
(c) 백금층이 형성된 투명 전도성 기판 위에 금속산화물 나노입자 페이스트를 도포하고 열처리하여 금속산화물 나노입자층을 형성시키는 단계;
(d) 상기 (c)의 금속산화물 나노입자층에 (b)의 염료와 파장이 서로 같거나 다른 염료를 흡착시켜 상대전극을 제조하는 단계; 및
(e) 상기 광전극과 상대전극의 금속산화물 나노입자층이 서로 마주보도록 배치하여 나노입자층을 계면 접촉시키고 전해질을 충진하는 단계
를 포함하는, 염료감응 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 (c)단계에서 투명 전도성 기판 위에 금속산화물 나노입자층을 형성하기 전에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 염료감응 태양전지의 제조방법
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제7에 있어서,
상기 금속산화물 나노입자 페이스트는 금속산화물 나노입자, 바인더용 고분자 및 용매를 포함하는, 염료감응 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 열처리는 400 내지 550 ℃에서 10 내지 120 분 동안 수행하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,
상기 염료의 흡착은, 금속산화물 나노입자층이 형성된 기판을 서로 같거나 다른 염료가 포함된 용액에 1 내지 48 시간 동안 함침하여 금속산화물 나노입자의 표면에 적어도 하나 이상의 염료가 흡착되어 흡수 파장 영역을 제어하도록 하는 것인, 염료감응 태양전지의 제조방법
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