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플라즈마를 이용한 재료표면상의 다양한 특성의 고분자 합성방법

  • 기술번호 : KST2015123672
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반응성 가스를 일정량 주입하면서 고분자를 합성하는 고분자 합성방법에 있어서, 반응성 가스를 직류 또는 고주파로 방전시켰을 때 반응성 가스의 플라즈마를 이용하여 재료의 표면에 성질이 다른 중합막을 형성하는 기술로서, 특히 방전의 직류전류, 직류전압, 고주파전력, 재료의 위치 및 증착시간등을 최적화 하면서 중합막의 성질을 바꾸는 고분자 합성방법에 관한 것이다. 진공상태하에서 반응성 가스를 진공챔버에 주입하여 플라즈마의 상태에서 기판 시료를 양극(또는 능동전극) 또는 음극(또는 수동전극)으로 하여 전압을 인가시키면 기판의 표면에 중합물이 증착된다. 본 발명에서는 낮은 에너지와 저 진공상태에서, 시료와 증착시키고자 하는 입자사이에 전위차를 발생시키므로써, 시료의 표면에 새로운 화학적 구조를 가진 물질을 생성하게 되는데, 시료에 증착된 물질의 표면은 반응가스의 종류, 직류전류, 전압, 고주파전력, 증착시간에 따라 여러 가지 다른 화학적 결합이 이루어져 필요에 따라 표면강도의 변화, 접착(adhesion), 흡착(adsorption), 친수성(hydrophilic), 소수성(hydrophobic) 등의 특성을 얻을 수 있다. 이러한 공정을 이용하면 재료 기판의 고유한 성질에는 영향을 주지 않고 시료의 표면에 새로운 물질을 생성할 수 있다.
Int. CL C23C 16/00 (2006.01)
CPC B05D 1/62(2013.01) B05D 1/62(2013.01) B05D 1/62(2013.01) B05D 1/62(2013.01)
출원번호/일자 1019970061767 (1997.11.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0041210 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고석근 대한민국 서울특별시 성북구
2 김기환 대한민국 서울특별시 노원구
3 김철환 대한민국 경상남도 창원시
4 정형진 대한민국 서울특별시 동대문구
5 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
6 하삼철 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194698-61
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194699-17
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194700-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반응 가스를 진공조내에서 플라즈마 방전시켜 재료의 표면에 고분자 중합물을 생성시키는 방법으로서, 상기 플라즈마 방전의 양전극 사이에서 기판의 위치를 바꾸어가며, 필요한 소정의 특성을 가지는 고분자 중합막을 상기 기판상에 형성하고, 상기 중합막을 안정화하기 위하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 고분자 합성 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 기판이 도체이고, 상기 도체기판에 필요한 "+" 또는"-"전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 진공조내의 압력은 상기 반응가스의 양으로 조절되는 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 반응가스는 아세틸렌가스 및 MMA 모노머 가스중에서 선택되는 하나의 성분과 유기물 단량체(monomer)로 이루어지는 혼합가스인 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

5 5

제 3 항에 있어서, 상기 반응가스는 하나 이상의 유기물 단량체인 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

6 6

제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 플라즈마 방전은 직류방전이며, 상기 반응가스의 성분, 반응가스의 혼합비율, 직류전류의 세기, 합성처리시간 및 진공조내의 압력중 한가지 이상을 변화시키는 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

7 7

제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 플라즈마 방전은 고주파 방전이며, 상기 반응가스의 성분, 반응가스의 혼합비율, 고주파 전력의 세기, 합성시간 및 진공조내의 압력중 한가지 이상을 변화시키는 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

8 8

반응 가스를 진공에서 플라즈마 방전시켜 재료의 표면에 고분자 중합물을 생성시키는 방법으로서, 기판을 플라즈마 방전의 두 양극중 하나로 인가하고, 상기 반응가스의 성분, 반응가스의 혼합비율, 방전전력, 처리시간 및 진공조내의 압력중 하나 이상을 변화시키므로써, 필요한 소정 특성을 가지는 고분자 중합막을 상기 기판상에 형성하고, 그를 안정화하기 위하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 고분자 합성 방법

9 9

제 8 항에 있어서, 진공조 내부의 압력을 상기 반응가스의 양으로 조절하는 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

10 10

제 9 항에 있어서, 상기 반응가스는 아세틸렌가스 및 MMA 모노머 가스중에서 선택되는 하나의 성분과 유기물 단량체(monomer)로 이루어지는 혼합가스인 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

11 11

제 9 항에 있어서, 상기 반응가스는 하나 이상의 유기물 단량체인 것을 특징으로 하는 고분자 합성방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01040210 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01040210 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01312422 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP01312422 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP03426582 JP 일본 FAMILY
6 JP13524602 JP 일본 FAMILY
7 KR100336622 KR 대한민국 FAMILY
8 US20010045351 US 미국 FAMILY
9 WO1999027156 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU1507999 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU1507999 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 AU750205 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
4 AU750205 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
5 CN1116437 CN 중국 DOCDBFAMILY
6 CN1259173 CN 중국 DOCDBFAMILY
7 EP1040210 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 EP1040210 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
9 EP1312422 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
10 EP1312422 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
11 ES2219922 ES 스페인 DOCDBFAMILY
12 JP2001524602 JP 일본 DOCDBFAMILY
13 JP2001524602 JP 일본 DOCDBFAMILY
14 JP2001524602 JP 일본 DOCDBFAMILY
15 JP3426582 JP 일본 DOCDBFAMILY
16 KR100336622 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
17 KR20010013156 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
18 KR20010013156 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
19 TR200001459 TR 터어키 DOCDBFAMILY
20 US2001045351 US 미국 DOCDBFAMILY
21 WO9927156 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
22 WO9927156 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.