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이성분계고체고분자전해질,이의제조방법,이를이용한복합전극및리튬고분자전지

  • 기술번호 : KST2015123712
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본발명은 PAN계 화합물과 PVC계 화합물을 중량비로 10:1 내지 1:5로 혼합하여 이루어지는 PAN계/PVC계 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 고체고분자 전해질, 이의 제조방법 및 이를 이용한 복합전극 및 리튬고분자전지에 관한 것으로, 본발명에 의한 고체고분자 전해질들은 이온전도도가 리튬 고분자 전지용 전해질로서 충분히 사용할 수 있을 정도로 우수하고 접착력 및 기계적 강도도 우수하여 전지제조가 용이할 뿐만 아니라 이를 이용한 전지는 전극용량 및 싸이클 수명 특성과 같은 전지성능도 우수하게 나타나 리튬고분자 전지용 고체고분자 전해질로서 매우 적합한 것으로 나타났다.
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 10/0565 (2010.01) H01M 10/058 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1019980024193 (1998.06.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0003089 (2000.01.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.06.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경석 대한민국 서울특별시 동작구
2 조병원 대한민국 서울특별시 서대문구
3 조원일 대한민국 서울특별시 노원구
4 백지흠 대한민국 서울특별시 성북구
5 김형선 대한민국 서울특별시 강북구
6 김운석 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1998-0075785-67
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1998-0075784-11
3 특허출원서
Patent Application		 1998.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1998-0075783-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0231237-04
11 의견서
Written Opinion		 2000.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-5352059-14
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.11.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5352068-25
13 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0170815-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

PAN계 화합물과 PVC계 화합물을 10:1 내지 1:5의 중량비로 혼합하여 이루어지는 PAN계/PVC계 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 고체고분자 전해질

2 2

제 1항에 있어서, 상기 PAN계 화합물은 폴리아크릴로니트릴, 폴리(아크릴로니트릴-메틸아크릴레이트), 폴리(아크릴로니트릴-코-메틸메타크릴레이트)코폴리머로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, 상기 PVC계 화합물은 폴리비닐클로라이드, 폴리(비닐리덴클로라이드-코-아크릴로니트릴)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 이성분계 고체 고분자 전해질

3 3

제 1항 또는 2항중 어느 한 항에 있어서, 상기 PAN계/PVC계 혼합물에 대하여 중량비로 1 내지 5배로 DMA(dimethyl acetamide), DMF(N,N-dimethylformamide) DMC(dimethyl carbonate), EC(ethylene carbonate), EMC(ethyl methyl carbonate), PC(propylene carbonate)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 가소제를 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 이성분계 고체 고분자 전해질

4 4

제 1항 또는 2항중 어느 한 항에 있어서, 상기 PAN계/PVC계 혼합물에 대하여 중량비로 1 내지 5배로 리튬염이 용해된 EC(ethylene carbonate)-DMC(dimethyl carbonate) 용액, 리튬염이 용해된 EC(ethylene carbonate)-EMC(ethyl methyl carbonate) 및 리튬염이 용해된 EC(ethylene carbonate)-DEC(diethyl carbonate) 용액으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기용매 전해질을 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 이성분계 고체 고분자 전해질

5 5

제 1 또는 제 2항중 어느 한항에 있어서, 상기 PAN계/PVC계 혼합물의 0∼20중량%로 SiO2를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이성분계 고체 고분자 전해질

6 6

PAN계 화합물과 PVC계 화합물을 10:1 내지 1:5의 중량비로 혼합한 혼합물에, 이 혼합물에 대해 1 내지 5배의 가소제, 1 내지 5배의 유기용매전해질, 0 내지 20중량%의 SiO2를 혼합하고 110∼180℃까지 가열하여 10분 내지 2시간 정도 고분자 블렌딩을 실시하여 고체고분자 전해질의 매트릭스를 형성하고 이를 캐스팅하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이성분계 고체고분자 전해질의 제조방법

7 7

25∼35중량%의 음극활물질, 0

8 8

25∼35 중량%의 양극활물질, 0

9 9

제 7항의 복합음극/제 1항 내지 제 5항의 이성분계 고체고분자전해질/제 8항의 복합양극/제 1항 내지 제 5항의 이성분계 고체고분자전해질/제 7항의 복합음극의 순으로 적층하여 구성되는 것을 특징으로 하는 리튬고분자 전지

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.