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금속-강유전체-금속-절연체-실리콘 구조의 게이트의 상부전극과 하부전극, 소스 및 드레인을 가지는 전계효과 트랜지스터로 구성된 강유전체 메모리 셀을 어레이로 구성할 때 상기 강유전체 메모리 셀을 연결하는 방법에 있어서, 상기 상부전극은 열로 배열된 복수의 쓰기 비트선(WBL)에 연결되고, 상기 하부전극은 행으로 배열된 복수의 쓰기 워드선(WWL)에 연결되고, 상기 소스는 열로 배열된 복수의 읽기 비트선(RBL)에 연결되고, 상기 드레인은 행으로 배열된 복수의 읽기 워드선(RWL)에 연결된 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀의 연결방법
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제 1항에 있어서, 읽기 동작 시, 선택된 쓰기 비트선에 읽기 전압(Vread)을 인가하고, 선택된 쓰기 워드선에 플로우팅 전압을 인가하고, 선택된 읽기 워드선에 전원 전압(Vcc)을 인가하고, 선택되지 않은 모든 비트선 및 워드선에 플로우팅 전압을 인가하고, 선택된 읽기 비트선에서 전압 또는 전류를 감지함으로써, 선택된 메모리 셀에 대해 읽기 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀의 연결방법
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제 1항에 있어서, '0' 쓰기 동작 시, 선택된 쓰기 비트선에 접지 전압을 인가하고, 선택된 쓰기 워드선에 쓰기 전압(Vwrite)을 인가하고, 선택된 읽기 워드선에 플로우팅 전압을 인가하고, 선택된 읽기 비트선에 플로우팅 전압을 인가하고, 선택되지 않은 모든 비트선 및 워드선에 플로우팅 전압을 인가함으로써, 선택된 메모리 셀에 대해 '0' 쓰기 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀의 연결방법
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제 1항에 있어서, '1' 쓰기 동작 시, 선택된 쓰기 비트선에 쓰기 전압(Vwrite)을 인가하고, 선택된 쓰기 워드선에 접지 전압을 인가하고, 선택된 읽기 워드선에 플로우팅 전압을 인가하고, 선택된 읽기 비트선에 플로우팅 전압을 인가하고, 선택되지 않은 모든 비트선 및 워드선에 플로우팅 전압을 인가함으로써, 선택된 메모리 셀에 대해 '1' 쓰기 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀의 연결방법
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금속-강유전체-금속-절연체-실리콘 구조의 게이트의 상부전극과 하부전극, 소스 및 드레인을 가지는 전계효과 트랜지스터로 구성된 강유전체 메모리 셀의 어레이를 가지는 강유전체 메모리에 있어서, 상기 상부전극은 열로 배열된 복수의 쓰기 비트선(WBL)에 연결되고, 상기 하부전극은 행으로 배열된 복수의 쓰기 워드선(WWL)에 연결되고, 상기 소스는 열로 배열된 복수의 읽기 비트선(RBL)에 연결되고, 상기 드레인은 행으로 배열된 복수의 읽기 워드선(RWL)에 연결되어 어레이를 구성하고, 상기 열로 배열된 복수의 쓰기 비트선에 연결된 쓰기 비트선 구동회로와, 상기 행으로 배열된 복수의 쓰기 워드선 및 읽기 워드선에 연결된 쓰기/읽기 워드선 구동회로와, 상기 열로 배열된 복수의 읽기 비트선 각각에 연결된 데이터 전송회로와, 상기 데이터 전송회로에 연결된 센싱회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리
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제 5항에 있어서, 상기 쓰기 비트선 구동회로는 쓰기 전압, 읽기 전압, 접지 전압 및 플로우팅 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리
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제 5항에 있어서, 상기 쓰기/읽기 워드선 구동회로는 상기 쓰기 워드선에 쓰기 전압, 접지 전압 및 플로우팅 전압을 생성하고, 상기 읽기 워드선에 전원 전압 및 플로우팅 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리
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제 5항에 있어서, 상기 쓰기/읽기 워드선 구동회로는 상기 쓰기 워드선에 쓰기 전압, 접지 전압 및 플로우팅 전압을 생성하고, 상기 읽기 워드선에 전원 전압 및 플로우팅 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리
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