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반도체기판의정전열접합방법

  • 기술번호 : KST2015123803
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체기판의 정전 열 접합방법에 관한 것으로, 종래 반도체기판의 정전 열 접합방법은 높은 온도와 고전압을 인가하여 제조비용이 증가하고, 접합면적이 국부적이고 접합강도에 있어서도 제품의 응용에는 불안정한 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 유리기판과 반도체기판을 세척하는 기판세척단계와; 상기 두 기판을 소정온도로 가열된 친수화용액에 수 분 동안 두어 친수화처리 하는 친수화 처리단계와; 상기 친수화 처리단계를 통해 친수화된 두 기판을 건조하는 건조단계와; 상기 건조된 기판을 직접접합하는 초기 직접접합단계와; 상기 직접접합된 기판을 오븐에 넣고 건조시키는 오븐건조단계와; 상기 직접접합된 기판에 소정의 전압과 열을 인가하여 정전 열 접합시키는 정전 열 접합단계로 이루어져 반도체기판과 유리기판을 친수화처리한 후 접합하여 종래 보다 낮은 온도 및 전압조건에서 강한 접합력과 넓은 접합 면적을 갖도록 함으로써, 제조비용의 절감과 아울러 제품의 안정성 및 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01)
CPC H01L 21/187(2013.01) H01L 21/187(2013.01) H01L 21/187(2013.01) H01L 21/187(2013.01)
출원번호/일자 1019970046677 (1997.09.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0270611-0000 (2000.08.03)
공개번호/일자 10-1999-0025163 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20010115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최우범 대한민국 경기도 고양시 덕양구
2 오명환 대한민국 서울특별시 강북구
3 주병권 대한민국 서울특별시 성북구
4 이덕중 대한민국 경기도 동두천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148118-90
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148120-82
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148119-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0380896-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.02.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5048371-57
12 의견서
Written Opinion		 2000.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-5048365-83
13 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0137594-05
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유리기판과 반도체기판을 세척하는 기판세척단계와; 상기 두 기판을 암모니아와 과산화수소 및 탈이온수를 4 : 1 : 6의 비로 혼합한 친수화용약을 45 내지 100℃온도로 가열하고, 그 가열된 친수화용액에 수 분 동안 두어 친수화처리 하는 친수화 처리단계와; 상기 친수화 처리단계를 통해 친수화된 두 기판을 건조하는 건조단계와; 상기 건조된 기판을 직접접합하는 초기 직접접합단계와; 상기 직접접합된 기판에 200내지 700V의 전압과 200 내지 500℃의 열을 인가하여 정전 열 접합시키는 정전 열 접합단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

2 2

제 1항에 있어서, 반도체기판은 직경이 1인치 이상인 n형 (100)방향의 실리콘기판인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

3 3

제 1항에 있어서, 유리기판은 직경이 1인치 이상인 코닝유리(CORNING GLASS #7740)기판인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

4 4

제 1항에 있어서, 유리기판은 실리콘기판의 상부에 유리박막을 증착한 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

5 5

제 1항에 있어서, 기판세척단계는 아세톤과 메탄올 그리고 탈이온수(D

6 6

제 1항에 있어서, 오븐건조단계는 100~200℃의 오븐에서 24시간동안 보관하여 초기접합된 두 기판 사이의 수분을 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

7 7

두 ITO(INDIUM TIN OXIDE)코팅 유리기판을 세척하는 기판세척단계와; 일측 ITO코팅 유리기판의 상부에 금속박막을 증착하고, 타측 ITO코팅 유리기판의 상부에 유리박막을 증착하는 증착단계와; 상기 금속박막 및 유리박막이 증착된 두 기판을 45~100℃의 가열된 친수화용액에 수 분 동안 두어 친수화처리 하는 친수화 처리단계와; 상기 친수화 처리단계를 통해 친수화된 두 기판을 건조하는 건조단계와; 상기 건조된 기판을 직접접합하는 초기 직접접합단계와; 상기 직접접합된 기판을 오븐에 넣고 건조시키는 오븐건조단계와; 상기 직접접합된 기판에 200 내지 700W의 전압과 200 내지 500℃의 열을 인가하여 정전 열 접합시키는 정전 열 접합단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

8 8

제 11항에 있어서, 박막증착단계에서 증착하는 금속박막은 ITO, 알루미늄박막, 티타늄박막, 몰리브덴박막, 크롬박막중 하나 또는 다층박막으로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

9 9

제 11항에 있어서, 기판세척단계는 아세톤과 메탄올 그리고 탈이온수(D

10 10

제 11항에 있어서, 친수화용액은 암모니아와 과산화수소 및 탈이온수를 4: 1: 6의 비로 혼합한 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

11 11

제 11항에 있어서, 오븐건조단계는 100~200℃의 오븐에서 24시간동안 보관하여 초기접합된 두 기판 사이의 수분을 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 정전 열 접합방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.