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초고집적 기억소자 및 비기억소자를 위한 WBXNY확산방지막제조방법 및 그를 이용한 다층 금속연결 배선방법

  • 기술번호 : KST2015123813
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 다층구조 금속 연결배선에 관한 것으로, 특히, 그에 사용되는 새로운 구조의 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 소자 제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와 저항성접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층구조 금속배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 상호확산을 막을 수 있는 확산방지막으로서, 본 발명에서 제안된 삼원소계 확산방지막인 텅스텐보론나이트라이드 (WBxNy)를 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확산방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적특성의 열화를 막을 수 없느데 반하여, 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지하였으며, 전기적 특성의 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 제조 방법에서 새로운 다층금속배선 구조중의 확산방지막으로 텅스텐보론나이트라이드를 사용하므로써, 기존의 확산방지막을 사용한 경우보다 월등히 우수한 전기적특성을 가지는 다층금속배선을 제공한다.
Int. CL H01L 21/318 (2006.01)
CPC H01L 21/76847(2013.01) H01L 21/76847(2013.01)
출원번호/일자 1019970057885 (1997.11.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0255130-0000 (2000.02.10)
공개번호/일자 10-1999-0038231 (1999.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000501) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울특별시 송파구
2 김동준 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182836-40
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182838-31
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1997-0182837-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 등록사정서
Decision to grant		 2000.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0012728-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

WF6(육불화텅스텐)의 유량을 2∼10 sccm, H2(수소)의 유량을 50∼300 sccm로 하고 B10H14(데가보레인)/NH3(암모니아)가스의 유량비를 2∼5까지 변화시키면서, 이 원료기체를 진공반응기에 넣고 압력 1∼10-1 Torr하에서 기판온도를 40∼300℃범위에서 가열하는 것으로 이루어지는 텅스텐보론나이트라이드 (WBxNy) 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 데가보레인과 암모니아 가스의 유량비를 조절하므로써, 상기 텅스텐보론나이트라이드 박막의 비저항을 200μΩcm이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 텅스텐보론나이트라이드 제조 방법

3 3

WF6(육불화텅스텐)의 유량을 2∼10 sccm, H2(수소)의 유량을 50∼300 sccm로 하고 B10H14(데가보레인)/NH3(암모니아)가스의 유량비를 2∼5까지 변화시키면서, 이 원료기체를 진공반응기의 상단에 있는 확산평판을 통해 혼합되어 확산되어 나오도록 하고, 상기 상단 확산평판과 하단 가열판 사이에 13

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 데가보레인과 암모니아 가스의 유량비를 조절하므로써, 상기 텅스텐보론나이트라이드 박막의 비저항을 200μΩcm이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 텅스텐보론나이트라이드박막 제조방법

5 5

제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한항에 의한 방법으로 제조된 두께 500-2000Å의 텅스텐보론나이트라이드 박막을, 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐인(InP)중 하나와 저항성 접합하기 위한 접합금속으로 사용하는 방법

6 6

제 1 항 내지 제 4 항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드박막이, 반도체소자의 소스 및 드레인 접촉접합의 반도체 및 주배선금속 사이에 확산방지막으로 사용되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자

7 7

제 1 항내지 제 4 항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드박막이, 반도체소자중의 층간절연층 및 하부금속사이에 확산 방지막으로 사용되고, 상기 층간절연층/텅스텐보론나이트라이드확산방지막/주배선금속으로 이루어진 금속배선이 2층 내지 10층으로 되어 있는 다층 금속 배선을 가지는 집적 반도체 소자

8 8

제 1 항 내지 제 4 항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조된 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 이용한 반도체 소자의 접합배선 방법으로서,

반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 단계와,

게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 단계와,

상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 단계와,

상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산 방지막을 도포하는 단계 및

상기 소스 및 드레인상에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 소스 및 드레인 접촉공정

9 9

제 1 항 내지 제 4 항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 이용한 집적 반도체 소자의 다층 금속 배선방법으로서,

반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 제 1 단계와,

게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 제 2 단계와,

상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 제 3 단계와,

상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 도포하는 제 4 단계와,

상기 소스부분에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 제 5 단계와,

상기 전 기판면에 층간절연박막을 도포하는 제 6 단계와,

상기 드레인 측의 상기 층간절연박막을 다시 식각하고, 전면에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 도포하는 제 7 단계와,

상기 확산방지막상에 주금속배선을 도포하는 제 8 단계 및

층간절연막/텅스텐보론나이트라이드확산방지막/주배선금속층이 2 내지 10층이 되도록, 상기 6 내지 8 단계를 2회 내지 10회 반복한 후, 그 위에 보호막을 형성시키는 제 9 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체소자의 다층 금속배선 방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.