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1,1-디플루오로에탄의 연속적 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015123852
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 사염화 주석촉매 1리터 당 VCM을 1시간에 0.3~1.5몰의 속도로, 무수 불화수소산은 VCM 1몰에 대해 2.9~5.0몰의 속도로 공급하고, 두 반응물을 가열하여 기체상태로 반응기에 공급하며, 0.4~2.0MPa의 압력과 50~120℃의 반응기 온도 그리고 20~40℃의 반응응축기에서 연속적으로 액상반응 시키는 것을 특징으로 하여 HFC-152a를 제조하는 방법에 관한 것 임.
Int. CL C07C 19/08 (2006.01)
CPC C07C 17/206(2013.01) C07C 17/206(2013.01) C07C 17/206(2013.01) C07C 17/206(2013.01) C07C 17/206(2013.01) C07C 17/206(2013.01) C07C 17/206(2013.01)
출원번호/일자 1019960015767 (1996.05.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0184382-0000 (1998.12.18)
공개번호/일자 10-1997-0074735 (1997.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (19990515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.05.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임종성 대한민국 서울특별시 노원구
2 이윤용 대한민국 서울특별시 강남구
3 이윤우 대한민국 서울특별시 성북구
4 김재덕 대한민국 서울특별시 노원구
5 최대기 대한민국 서울특별시 강남구
6 박종민 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.05.13 수리 (Accepted) 1-1-1996-0062226-94
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.05.13 수리 (Accepted) 1-1-1996-0062228-85
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.05.13 수리 (Accepted) 1-1-1996-0062227-39
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0024594-83
5 의견서
Written Opinion		 1998.10.31 수리 (Accepted) 1-1-1996-0794507-32
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.10.31 수리 (Accepted) 1-1-1996-0794428-23
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0449773-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

사염화 주석 촉매를 무수불화수소산으로 불화시킨 후에, 이 촉매 1 리터당 염화비닐을 0

2 2

제1항에 있어서, 염화비닐과 무수 불화수소산을 가열하여 기체상태로 한 후 이를 반응기 내의 촉매층으로 공급하는 것을 특징으로 하는 1,1-디플루오로에탄의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 반응온도가 70~100℃인 것을 특징으로 하는 1,1-디플루오로에탄의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 반응압력이 0

5 5

제1항에 있어서, 반응기 충전탑의 응축기 온도가 20~40℃인 것을 특징으로 하는 1,1-디플루오로에탄의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 사염화 주석 1리터당 염화비닐을 0

7 7

제1항에 있어서, 50~120℃의 반응기에서 사염화 주석에 무수 불화수소산을 기체 상태로, 무수 불화수소산 대 사염화 주석의 몰비가 1 : 1

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.