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가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리시스템 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2015123904
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 클러스터 상태의 가스를 이온화하여 아이.티.오 박막 시료의 표면에 조사함으로써 시료의 표면을 평탄화하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 작동가스를 공급하는 작동가스공급장치와; 상기 작동가스공급장치에서 공급되는 작동가스를 클러스터(cluster) 상태로 변화시키는 축소확장노즐(convergent and divergent nozzle)과 연결된 확산챔버와; 상기 확산챔버에 연결되어 상기 클러스터 상태의 작동가스의 일부를 선별·추출하는 스키머(skimmer)와, 상기 스키머에 의해 선별·추출된 클러스터 상태의 작동가스를 이온화시키는 이온화장치가 설치된 소스챔버와, 상기 클러스터 이온의 밀도를 높여주는 렌즈와 상기 클러스터 이온을 가속시키기 위한 가속장치가 설치된 가속챔버와; 상기 가속된 클러스터 이온이 아이.티.오 박막 시료에 조사되어 시료의 표면을 평탄화하기 위한 공정챔버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리 시스템을 제공한다.
Int. CL C23C 14/46 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010066053 (2001.10.25)
출원인 한국과학기술연구원, 주식회사 다산 씨.앤드.아이
등록번호/일자 10-0445105-0000 (2004.08.10)
공개번호/일자 10-2003-0033879 (2003.05.01) 문서열기
공고번호/일자 (20040821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.10.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 다산 씨.앤드.아이 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 대한민국 서울특별시양천구
2 정형진 대한민국 서울특별시강남구
3 송재훈 대한민국 경기도의정부시
4 오희범 대한민국 서울특별시서초구
5 윤덕주 대한민국 서울특별시서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 다산 씨.앤드.아이 대한민국 경기도 용인시
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-0274932-57
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2001.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-5296297-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0028855-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0430450-94
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0507542-22
8 의견서
Written Opinion		 2004.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0040830-36
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0040831-82
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0199010-44
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5035256-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

작동가스를 공급하는 작동가스공급장치와, 상기 작동가스공급장치로부터 공급되는 작동가스를 클러스터(cluster) 상태로 변화시키는 확산챔버와, 상기 확산챔버로부터의 작동가스를 이온화시키는 소스챔버와, 상기 클러스터 이온을 가속시키는 가속챔버와, 상기 가속된 클러스터 이온이 시료에 조사되어 시료의 표면을 평탄화하기 위한 공정챔버를 구비한 가스 클러스터 이온빔을 이용한 박막 표면 처리 시스템에 있어서,

소정의 질량을 갖는 상기 작동 가스만을 선별하도록 설치된 영구자석(Magnet)과;

상기 클러스터 이온의 밀도를 높여주는 렌즈(lens)를;

포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이

2 2

제 1항에 있어서,

상기 렌즈는 아인젤 렌즈인 것을 특징을 하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이

3 3

제 1항에 있어서,

상기 작동 가스의 일부를 선별 추출하도록 상기 확산 챔버와 상기 공정 챔버 사잉에 형성된 스키머를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이

4 4

제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 가스는 CO2, SF2, Ar, O2, N2O 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이

5 5

작동가스를 클러스터로 형성시키는 클러스터 형성 단계와, 형성된 가스 클러스터를 이온화시켜 시료의 표면에 조사하여 표면을 평탄화시키는 평탄화 단계를 포함하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 박막 표면 처리 방법에 있어서,

상기 가스 클러스터 이온빔은 20kV 내지 50kV의 가속에너지를 갖고, 2

6 6

제 5항에 있어서,

상기 클러스터 형성 단계와 상기 평탄화 단계 사이에, 영구자석을 사용하여 가벼운 모노머 이온들을 제거하여 조사되는 클러스터들을 균일화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이

7 7

제 5항 또는 제 6항에 있어서,

상기 작동 가스는 이산화탄소인 것을 특징으로 하는 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이

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1 JP2003188156 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2003109092 US 미국 DOCDBFAMILY
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