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질화 알루미늄계 내화물 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123981
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저탄성상 기지상인 BN이나 흑연 또는 이들의 혼합물의 미립의 AIN, AIN/SiC, AlON 고탄성상 기지상에 균일하게 분산된 복합기지상과 상기 고탄성상 기지상과 동일 조성을 갖는 골재로 이루어진 AlN (질화 알루미늄)계 내화물 및 그의 제조방법. AlN-BN, AlN/SiC-BN, AlON-BN계의 AlN계 내화물의 제조 방법에 있어서 기지상을 이루는 AlN, AlN/SiC, AlON 미립 입자와 BN이나 흑연 또는 그 혼합물의 입자를 균일하게 혼합하고 이를 골재 입자 사이에 고르게 분포시키는 방법을 사용하여 기지상내에 존재하는 저탄성상 BN이나 흑연 또는 그 혼합물의 입자의 균일한 분포를 위하여 기지상을 구성하는 미립 입자와 BN이나 흑연 또는 그 혼합물 입자를 동시 분산하여 열분무 건조법에 의해 제조한 과립 상태로 첨가함으로써 내화물 내에서 전체적인 균일도를 유지함은 물론 기지상 내에서 BN 입자의 고른 분포를 얻을 수 있다.
Int. CL C04B 35/581 (2006.01)
CPC C04B 35/66(2013.01) C04B 35/66(2013.01) C04B 35/66(2013.01) C04B 35/66(2013.01) C04B 35/66(2013.01) C04B 35/66(2013.01) C04B 35/66(2013.01)
출원번호/일자 1019970077480 (1997.12.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0239897-0000 (1999.10.22)
공개번호/일자 10-1999-0057429 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송휴섭 대한민국 서울특별시 강남구
2 이해원 대한민국 서울특별시 성북구
3 김긍호 대한민국 서울특별시 용산구
4 김상우 대한민국 서울특별시 성북구
5 전형우 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 윤복규 대한민국 서울특별시 노원구
7 이석근 대한민국 경상북도 포항시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0239788-61
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0239787-15
3 특허출원서
Patent Application		 1997.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0239786-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 등록사정서
Decision to grant		 1999.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0302843-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

AlN, AlON, AlN-SiC 중에서 선택된 단독 또는 혼합 조성의 골재 및, 골재와 동일한 조성의 고탄성상 기지상과 흑연이나 BN 또는 이들의 혼합물의 저탄성상 기지상과의 복합기지상을 함유하는 제철 및 제강용 AlN계 내화물

2 2

제 1항에 있어서, 골재로서 입경 0

3 3

(a) 0

4 4

제 3항에 있어서, (a) 단계에서 저탄성상 기지상으로서 흑연이나 BN 분말 또는 이들의 혼합분말을 전체 내화물 기준으로 10 무게% 이하의 양으로 첨가하는 방법

5 5

제 3항에 있어서, (b) 단계에서 소결시 소결조제로서 알칼리토류 산화물 또는 희토류 산화물을 첨가하는 방법

6 6

제 5항에 있어서, 알칼리토류 산화물로서 CaO를 전체 내화물 기준으로 0

7 7

제 5항에 있어서, 희토류 산화물로서 Y2O3를 전체 내화물 기준으로 0

8 8

제 3항에 있어서, (c) 단계에서 160 - 200℃의 용융 피치에서 5 - 10시간 함침한 후 400 - 600℃ 질소 분위기에서 2시간 열처리하여 잔류 탄소를 남기는 공정을 1 - 4회 실시하여 내화물의 잔류기공을 감소시키는 방법

9 9

제 8항에 있어서, 잔류탄소의 산화를 방지하기 위하여 산화 억제제로서 500 - 1000℃에서 1 - 2 무게%의 B4C, 800 - 1400℃에서 1 - 5 무게%의 금속규소를 첨가하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.