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초염기가 고정된 고분자전해질을 포함하여 구성되며, 상기 고분자전해질은 이온성 물질이 결합된 공중합체이며, 상기 이온성 물질은 리튬염의 음이온을 구비한 이미다졸리움을 포함하며, 상기 이온성 물질과 초염기의 탈양성자화반응에 의해 생성되는 탈양성자화 위치에 친전자성물질의 흡착이 가능하며, 상기 고분자전해질은 중공사 형태를 이루며, 상기 초염기는 중공사 표면에 구비되는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제
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제 1 항에 있어서, 상기 리튬염의 음이온을 구비한 이미다졸리움에 알킬체인이 연결되며, 상기 알킬체인의 말단은 메틸기(-CH3) 또는 하이드록실기(-OH)인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제
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제 2 항에 있어서, 상기 알킬체인의 말단이 메틸기(-CH3)인 경우, 탈양성자화반응은 이미다졸리움의 C-2 위치에서 발생되며, 친전자성물질은 탈양성자화 위치인 C-2 위치에 흡착되는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제
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제 2 항에 있어서, 상기 알킬체인의 말단이 하이드록실기(-OH)인 경우, 하이드록실기(-OH)의 수소(H)가 탈양성자화되며, 친전자성물질은 수소(H)가 탈착된 위치에 흡착되는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제
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제 1 항에 있어서, 상기 중공사의 내부에 고온 또는 저온의 물질이 이동 가능한 빈 공간이 구비되는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제
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제 1 항에 있어서, 상기 리튬염의 음이온은 BF4-, PF6-, ClO4-, TfSI- 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제
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이미다졸과 공단량체를 반응시켜 이미다졸 공중합체를 형성하는 단계; 이미다졸 공중합체와 알킬할라이드의 4기화반응을 통해 할로겐 음이온을 구비한 이미다졸리움을 형성하는 단계; 이미다졸리움과 리튬염을 반응시켜, 이미다졸리움의 할로겐 음이온을 리튬염의 음이온과 교환하여 이온성 물질을 형성하는 단계; 및 이온성 물질이 결합된 공중합체(이하, 고분자전해질이라 함)에 초염기를 고정시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 이온성 물질을 형성 후, 고분자전해질을 중공사 형태로 가공한 다음, 중공사 형태의 고분자전해질에 초염기를 고정시키는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제 제조방법
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제 8 항에 있어서, 고분자전해질에 초염기를 고정시키는 단계는, 초염기와 비용매의 혼합용액에 고분자전해질을 담가 초염기를 고분자전해질에 고정시키는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 이미다졸과 공단량체는 3 : 7 ∼ 6 : 4의 중량비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 이미다졸은 1-비닐 이미다졸(1-vinyl imidazole)인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 공단량체는 메틸메타크릴레이트(methyl methacrylate), n-부틸아크릴레이트(n-butyl acrylate), 스타이렌(styrene), 비닐단량체(vinyl monomer) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 알킬할라이드의 알킬체인은 부틸(butyl) 또는 도데실(dodecyl)인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 알킬할라이드의 말단(-R)은 메틸기(-CH3) 또는 하이드록실기(-OH)인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 리튬염의 음이온은 BF4-, PF6-, ClO4-, TfSI- 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자전해질 기반 중공사흡착제 제조방법
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