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저품위라테라이트광으로부터니켈의침출방법

  • 기술번호 : KST2015124018
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 [목적]니켈원광인 저품위 라테라이트로부터 습식 제련에 의하여 니켈을 침출 회수함으로써 저품위의 원광을 효율적으로 처리한다.[구성]원광품위 약 1.0 내지 2.3퍼센트인 저품위 라테라이트 원광을 -100메쉬로 마광한다음 0.01 내지 10.0몰농도의 황산용액으로 만들어 전해조의 음극실에 채운 후 아황산가스를 포화용액이 되게 주입하면서 10 내지 100분간 전해시켜 니켈을 침출시키며, 이때 음극전위는 기준전극에 대하여 -0.1 내지 -5.0볼트로 유지시키고 이와 같이 음극실에서 라테라이트를 전해 침출하면 광석의주성분인 니켈함유 수산화철이 산성용액에서 아황산에 의해 3가철이 2가철로 용이하게 환원침출될 때 니켈이 산에 의해 이온화되어 침출된다.[효과]간단한 공정으로 경제적이다.
Int. CL C22C 1/08 (2006.01) C25C 1/08 (2006.01)
CPC C22B 23/043(2013.01) C22B 23/043(2013.01) C22B 23/043(2013.01)
출원번호/일자 1019850000353 (1985.01.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0029251-0000 (1989.09.06)
공개번호/일자 10-1986-0005896 (1986.08.16) 문서열기
공고번호/일자 1019890002035 (19890608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1985.01.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오종기 대한민국 서울시강남구
2 이동휘 대한민국 서울시강동구
3 윤경석 대한민국 서울시성북구
4 이화영 대한민국 서울시도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문기상 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로 *** (삼성동, 우창빌딩)(문앤문국제특허법률사무소)
2 조기호 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호 코디특허법률사무소 (역삼동, 한빛빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1985.01.22 수리 (Accepted) 1-1-1985-0002003-44
2 특허출원서
Patent Application
1985.01.22 수리 (Accepted) 1-1-1985-0002001-53
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1985.01.22 수리 (Accepted) 1-1-1985-0002002-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1988.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-0001242-64
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1989.01.16 수리 (Accepted) 1-1-1985-0002005-35
6 의견서
Written Opinion
1989.01.16 수리 (Accepted) 1-1-1985-0002004-90
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1989.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-0001243-10
8 등록사정서
Decision to grant
1989.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1985-0001245-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

격막으로 분리된 전해조의 음극실에는 저품위 라레라이트를 -10메쉬로 마광하여 농도 0

2 2

제1항에 있어서, 음극실에 아황산 가스를 포화 용액이 되게 불어 넣음을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.