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기상 화학 증착법으로 절삭 공구 모재에 다이아몬드 막을 형성시켜 절삭 공구를 제조하는 방법에 있어서, 기판 홀더를 한 전극으로, 필라멘트 또는 챔버를 다른 전극으로 사용하여, 외부로부터 기판 홀더에 상기 다른 전극보다 낮은 음의 바이어스를 다이아몬드 막 형성 과정 중 지속적으로 인가하고, 메탄의 농도가 0
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제 1 항에 있어서, 상기 공정을 필라멘트의 온도가 1800℃ 내지 2600℃ 범위인 열 필라멘트 기상화학증착장치 내에서 수행하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 공정을 플라즈마 전력이 100 W 내지 5000 W 범위인 마이크로웨이브 플라즈마 기상화학증착장치 내에서 수행하는 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인가되는 음의 바이어스가 -20 V 내지 -500 V 범위인 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절삭공구 모재가 Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, Si, V 및 W 과 같은 금속의 탄화물(carbide), Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, Si, V 및 W 과 같은 금속의 질화물(Nitride), 및 상기 금속의 탄화물 또는 질화물과 바인더인 Ni, Co 또는 Cu와의 결합물로 구성되는 군 중에서 선택되는 방법
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삭제
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삭제
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 챔버 내 공정기체의 압력이 10 torr 내지 760 torr 범위인 방법
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기상화학증착법을 이용하여 표면에 다이아몬드 막을 형성시킨 절삭공구에 있어서, 외부로부터 기판 홀더에 다른 전극보다 낮은 음의 바이어스가 다이아몬드 막 형성 과정 중 지속적으로 인가되어 기판 홀더 상의 공구 표면에 다이아몬드 막이 형성됨으로써, 0
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제 9 항에 있어서, 필라멘트의 온도가 1800℃ 내지 2600℃ 범위인 열 필라멘트 기상화학증착장치를 사용하여 다이아몬드 막이 증착된 미세, 정밀 가공이 가능한 절삭공구
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제 9 항에 있어서, 플라즈마 전력이 100 W 내지 5000 W 범위인 마이크로웨이브 플라즈마 기상화학증착장치를 사용하여 다이아몬드 막이 증착된 미세, 정밀 가공이 가능한 절삭공구
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제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, -20 V 내지 -500 V 범위의 음의 바이어스가 인가되면서 다이아몬드 막이 증착된 미세, 정밀 가공이 가능한 절삭공구
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제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절삭공구 모재가 Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, Si, V 및 W 과 같은 금속의 탄화물, Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, Si, V 및 W 과 같은 금속의 질화물 및 상기 금속의 탄화물 또는 질화물과 바인더인 Ni, Co 또는 Cu의 결합물로 구성되는 군 중에서 선택되는 미세, 정밀 가공이 가능한 절삭공구
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제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 기상화학증착시에 공정가스로서 탄화수소, 탄소증기, CO 또는 CO2과 같이 탄소가 포함된 기체원과 수소, 산소, 질소, 물, 불소(F2) 또는 불활성기체와의 혼합가스를 사용하여 제조되는 미세, 정밀 가공이 가능한 절삭공구
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제 14 항에 있어서, 상기 혼합가스로서 수소와 메탄이 99
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제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 기상화학증착시에 챔버 내 공정기체의 압력을 10 torr 내지 760 torr 범위로 하여 제조되는 미세, 정밀 가공이 가능한 절삭공구
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