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이산화지르코니아 비드를 분산재로 하는 비드밀 분산기에 의해 금속산화물 나노입자를 분산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노입자의 분산방법
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제 1항에 있어서, 상기 분산은 금속산화물 나노입자 및 용매를 포함하는 콜로이드 용액을 공급펌프를 통해 비드밀 분산기의 분산실에 투입하여 이루어지는 것인 금속산화물 나노입자의 분산방법
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제 1항에 있어서, 상기 이산화지르코니아 비드는 크기가 15㎛ 내지 500 ㎛이고 플라즈마 표면 처리된 것인 금속산화물 나노입자의 분산방법
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제 1항에 있어서, 상기 비드밀 분산기의 로터 회전속도는 10Hz(810RPM) 내지 50Hz(4050 RPM)인 금속산화물 나노입자의 분산방법
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제 1항에 있어서, 상기 분산은 5분 내지 3시간 동안 수행하는 것인 금속산화물 나노입자의 분산방법
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제 1항에 있어서, 상기 콜로이드 용액의 농도는 5 내지 30 중량%인 금속산화물 나노입자의 분산방법
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제 1항에 있어서, 상기 콜로이드 용액은 5ml/분 내지 60ml/분의 양으로 공급펌프를 통해 분산실로 투입되는 것인 금속산화물 나노입자의 분산방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는 타이타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 징크(Zn)산화물, 인듐(In)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 텅스텐(W)산화물, 틴(Sn)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 및 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것인 금속산화물 나노입자의 분산방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는 분산 전 크기는 5nm 내지 10㎛이고, 분산 후 크기가 1nm 내지 1㎛ 인 금속산화물 나노입자의 분산방법
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투명전도성 기판, 및 상기 투명전도성 기판 위에 형성되며, 분산후 0
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제 10항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는 표면적이 40 내지 120 ㎡/g인 염료 감응 태양전지
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제 10항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는 아나타제형:루타일형의 비율이 100 : 0 내지 70 : 30 이고 정자(crystallite) 크기가 15 내지 100nm인 금속산화물 염료 감응 태양전지
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제 10항에 있어서, 상기 광흡수층은 400 내지 550 ℃에서 10 내지 120분 동안 열처리를 수행하여 형성된 것인 염료감응 태양전지
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제 10항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는 감광성 염료가 흡착되어 있는 것인 염료감응 태양전지
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제 10항에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 것인 염료감응 태양전지
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