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피라졸론유도체의제조방법

  • 기술번호 : KST2015124176
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL C07D 231/10 (2006.01)
CPC C07D 231/22(2013.01) C07D 231/22(2013.01)
출원번호/일자 1019860008538 (1986.10.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0033774-0000 (1990.06.15)
공개번호/일자 10-1988-0005086 (1988.06.28) 문서열기
공고번호/일자 1019900001080 (19900226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1986.10.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박호군 대한민국 서울특별시송파구
2 박종욱 대한민국 충남천안시
3 이남진 대한민국 서울시영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1986.10.11 수리 (Accepted) 1-1-1986-0048550-08
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1986.10.11 수리 (Accepted) 1-1-1986-0048549-51
3 특허출원서
Patent Application
1986.10.11 수리 (Accepted) 1-1-1986-0048548-16
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1990.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0031919-47
5 등록사정서
Decision to grant
1990.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0031921-39
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

일반식(Ⅱ)의 할로겐 유도체와 일반식(Ⅳ)의 1급아민을 유기용매 존재하에 반응시켜 일반식(Ⅴ)의 화합물을 제조하는 제1공정, 일반식(Ⅴ)의 화합물과 일반식(Ⅵ)의 2급 할로케토 화합물을 염기성조건에서 유기용매 존재하에 반응시켜 일반식(Ⅶ)의 디케토 화합물을 제조하는 제2공정 및 일반식(Ⅷ)의 디케토화합물과 일반식(Ⅷ)의 히드라진 화합물을 염기성조건에서 유기용매 존재하에 반응시켜 일반식(Ⅰ)의 피라졸론 유도체를 제조하는 제3공정으로 이루어진 것이 특징인 일반식(Ⅰ)의 피라졸론 유도체의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 제1공정의 유기용매가 물, 메탄올, 에탄올 중에서 단독 또는 혼합하여 반응시키는 것이 특징인 일반식(I)의 피라졸론 유도체의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 제1공정의 반응조건이 0℃ 내지 30℃에서 10시간이내 반응시키는 것이 특징인 피라졸론 유도체의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 제2공정의 염기가 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 피리딘, N,N-디메틸아닐린 또는 N,N-디메틸아미노피리딘중에서 선택하여 반응시키는 것이 특징인 피라졸론 유도체의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 제2공정의 유기용매가 벤젠, 톨루엔, 아세토니트릴, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 크실렌 또는 디옥산중에서 선택하여 반응시키는 것이 특징인 피라졸론 유도체의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 제2공정의 반응조건이 20℃ 내지 120℃에서 반응시키는 것이 특징인 피라졸론 유도체의 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 제3공정의 일반식(VIII)의 히드라진 첨가량이 일반식(VII)의 디케토화합물에 대해 무게비로 5 내지 20배로 첨가하여 환원시키는 것을 특징으로 하는 피라졸론 유도체의 제조방법

8 8

제1항에 있어서, 제3공정의 염기가 금속나트륨, 금속리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨 또는 탄산수소칼륨중에서 선택하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 피라졸론 유도체의 제조방법

9 9

제1항에 있어서, 제3공정의 유기용매가 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 디옥산 또는 테트라히드로푸란중에서 선택하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 피라졸론 유도체의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.