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고밀도 반사체를 가지는 전계발광 표시소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124204
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고밀도 미세 반사체(10), 하부 절연층(20), 발광층(30), 상부 절연층(40), 배면 전극(50)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자에 관한 것으로, 고정세 가공기술을 이용하여 고밀도의 반사체를 제조하고 이를 박막 전계발광 구조와 결합하여 고정세/고휘도/고효율을 특징으로 하는 새로운 구조의 전계발광 표시 소자를 제조할 수 있는 구조와 방법을 제공하는 것이다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H05B 33/22(2013.01) H05B 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1019990002580 (1999.01.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0283284-0000 (2000.12.06)
공개번호/일자 10-2000-0051878 (2000.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20010215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.01.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이윤희 대한민국 서울특별시동대문구
2 주병권 대한민국 서울특별시동대문구
3 오명환 대한민국 서울특별시강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.01.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-0005747-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
5 등록사정서
Decision to grant		 2000.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0306560-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

고밀도 미세 반사체(10), 하부 절연층(20), 발광층(30), 상부 절연층(40) 및 배면 전극(50)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자

2 2

제 1 항에 있어서, 고밀도 미세 반사체(10)가 Si, poly-Si 및 Mo, Cr, Ta, W, Cu, Ti 또는 Al로 이루어진 그룹에서 선택된 고융점 금속, 규화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자

3 3

제 1 항에 있어서, 발광층(30)이 ZnS, SrS, CaS, CaGa2S4, SrGaS4 또는 BaGa2S4 등이나 이들의 혼합물을 모체로 하고 Mn과 같은 전이 금속 또는 Cu, Tb, Ce, Pb, Tm, Eu 또는 Pr 등의 희토류 등을 첨가한 단일 발광막이나, 다층발광막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자

4 4

제 1 항에 있어서, 하부 절연막(20) 및 상부 절연막(40)이 SiOxNy, SiO2, Ta2O5, Si3N4, TiO2, BaTa2O6, Al2O3, BaTiO3, 또는 SrTiO3으로 이루어진 단일 또는 적층구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자

5 5

제 1 항에 있어서, 배면 전극(50)이 불투명 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자

6 6

제 1 항에 있어서, 배면 전극(50)이 투명 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자

7 7

기판 위에 산화막을 성장시키는 단계와; 상기 산화막을 마스크로 이용하여 패터닝하는 단계와; 실리콘 기판을 에칭하여 반사체를 형성하는 단계와; 샤프닝 산화를 통하여 반사체를 뾰족한 팁모양으로 형성하는 단계와; 이 상부에 하부 절연층, 발광층, 상부 절연층 및 배면 전극을 순차적으로 형성하는 단계와; 반사체위에 형성된 하부절연층, 발광층, 상부 절연층 및 배면 전극을 리프트 오프(lift off)하여 제거하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자의 제조방법

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 하부 절연층, 발광층, 상부 절연층 및 배면 전극을 형성하는 단계가, 기판홀더가 기울어진 상태에서 회전하도록 고안되어 수직방향의 성장이 선택적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자의 제조방법

9 9

제 8 항에 있어서, 수평방향에 대한 수직방향의 성장비가 0:100∼10:90인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자의 제조방법

10 10

제 7 항에 있어서, 상기 고밀도 미세반사체를 추가로 기계적으로 미세 가공하는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.