맞춤기술찾기

이전대상기술

편광분리기및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015124255
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL G02B 6/10 (2006.01)
CPC G02B 6/125(2013.01) G02B 6/125(2013.01) G02B 6/125(2013.01) G02B 6/125(2013.01)
출원번호/일자 1019900010416 (1990.07.10)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0068650-0000 (1993.12.13)
공개번호/일자 10-1992-0003074 (1992.02.29) 문서열기
공고번호/일자 1019930008935 (19930917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.07.10)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한기관 대한민국 서울특별시 구로구
2 김상국 대한민국 서울특별시 강남구
3 최상삼 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1990.07.10 수리 (Accepted) 1-1-1990-0061860-24
2 특허출원서
Patent Application
1990.07.10 수리 (Accepted) 1-1-1990-0061858-32
3 출원심사청구서
Request for Examination
1990.07.10 수리 (Accepted) 1-1-1990-0061859-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1992.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0031921-67
5 의견서
Written Opinion
1993.01.09 수리 (Accepted) 1-1-1990-0061861-70
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1993.01.09 수리 (Accepted) 1-1-1990-0061862-15
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1993.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0031922-13
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1993.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0031925-49
9 등록사정서
Decision to grant
1993.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0031926-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

이방성 전기광학 효과를 가지는 광결정 베이스판에 입력부 도파로 W1, W2 와 출력부 도파로 W3, W4 및 우모드와 기모드가 간섭하여 편광이 분리되는 중간부 도파로 W0를 갖도록 쌍Y자형 도파로가 형성되고, 상기 중간부 도파로 W0의 양측부에는 두 편광의 출력을 조정하기 위하여 베이스판의 위에서 아래로 전기장을 유도하는 전극 E1과 베이스판과 나란한 방향으로 전기장을 유도하는 전극 E2가 형성되어 구성된 것을 특징으로 하는 편광분리기

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 입력부 도파로 W1, W2 와 출렬부 도파로 W3, W4는 폭이 5㎛, 나누어진 각(θ)이 2°가 되도록 형성되고, 상기 중간부 도파로 W0는 폭이 8㎛이 되도록 형성되어 입력부 도파로 W1, W2 와 출력부 도파로 W2, W4 에는 하나의 모드가 통과되고, 중간부 도파로 W0에는 두개의 모드가 통과하도록 구성된 것을 특징으로 하는 편광분리기

3 3

제작될 중간부 도파로 W0의 방향이 결정의 X축과 나란하게 되도록 결정의 X축 또는 Z축에 대해 수직으로 전달한 리튬니오베이트 위에 티타늄을 증착한 후 확산시키어 입력부 도파로 W1, W2 와 출력부 도파로 W3, W4 및 중간부 도파로 W0가 구비되는 쌍Y자형 도파로를 형성하고, 그 티타늄 도파로의 중간부 도파로 W0위에 전극 E1, 전극 E2를 증착하여 형성함을 특징으로 하는 편광분리기 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 티타늄 증착단계에서 그 티타늄을 32nm으로 증착한 후, 티타늄 확산단계에서는 1000℃에서 5시간 동안 가열 확산시키어 입력부 도파로와 출력부 도파로 W1, W2, W3, W4 는 폭이 5㎛, 중간부 도파로 W0는 폭이 8㎛이 되도록 형성함을 특징으로 하는 편광분리기 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.