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박막 증착 장치

  • 기술번호 : KST2015124294
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품질 박막을 제작하기 위한 PIBD(Partially Ionized Beam Deposition)용 이온건에 관한 것으로, 본 발명은 금속을 증기상태로 만드는 도가니부와 증기상태의 금속을 이온화시키는 이온화부를 하나의 원통형 챔버 내에 형성하며, 상기 원통형 챔버외측에 이온화 효율을 높이기 위하여 자석을 배치하며, 상기 원통형 챔버의 하부에는 W-Re선으로 된 도가니 가열용 필라멘트와 도가니를 설치하고, 원통형 챔버의 상부에는 필라멘트와 양극을 설치하며, 상기 필라멘트를 용이하게 교체하기 위하여 상하단부에 플랜지를 설치한 구조이다. 또한, 도가니부와 이온화부 사이의 열차폐와 전자기장의 차폐를 위하여 몰리브덴판 또는 탄탈륨판과 같이 고융점 물질의 판을 설치하고, 이온원이 과열되는 것을 방지하기 위하여 수냉관을 도가니 가열부 외측에 설치하며, 상단부 플랜지와 진공 챔버 사이에 접지된 판을 설치함으로써 낮은 전력으로 도가니의 온도를 높일 수 있어 제품의 유지 비용이 절감되는 효과가 있고, 거리에 따른 전류밀도의 변화가 적어 제작된 박막의 성질이 균일하게 됨으로써 박막소자의 신뢰성을 향상시키도록 한 것이다.
Int. CL C23C 16/54 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960028938 (1996.07.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0182373-0000 (1998.12.11)
공개번호/일자 10-1998-0009512 (1998.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (19990401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.07.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장홍규 대한민국 서울특별시 구
2 고석근 대한민국 서울특별시 성북구
3 정형진 대한민국 서울특별시 광진구
4 최원국 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.07.18 수리 (Accepted) 1-1-1996-0104659-13
2 출원심사청구서
Request for Examination
1996.07.18 수리 (Accepted) 1-1-1996-0104660-60
3 특허출원서
Patent Application
1996.07.18 수리 (Accepted) 1-1-1996-0104658-78
4 등록사정서
Decision to grant
1998.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0447480-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

열차폐용 원통형 챔버와, 상기 열차폐용 원통형 챔버의 내부에 설치되는 원통형 챔버와; 상기 원통형 챔버 내의 하부측에 설치되는 도가니 및 히터용 필라멘트로 구성되는 도가니부와; 상기 원통형 챔버 내의 상부측에 설치되는 양극 및 이온화용 필라멘트와, 이온화 효율을 향상시키기 위한 자석으로 구성되는 이온화부와; 상기 히터용 필라멘트와 이온화용 필라멘트를 지지하는 상,하부 필라멘트 지지대와; 상기 상, 하부 필라멘트 지지대가 각각 고정되어 상,하부 필라멘트를 착탈가능 하도록 원통형 챔버에 설치하는 상, 하부 플랜지와; 상기 도가니부의 상측으로 열차폐와 전자기 차폐용 원통형 챔버에 연장형성되어 상기 상부 플랜지와 함께 가속전극계를 이루는 접지판으로 구성함을 특징으로 하는 박막 증착 장치

2 2

제1항에 있어서 상기 원통형 챔버와 상부 플랜지 사이에는 알류미나 절연체가 개재된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치

3 3

제1항에 있어서, 상기 도가니부와 이온화부는 몰리브덴(Mo)판 또는 탄탈륨(Ta)판과 같이 고융점 물질에 의해 구획되어 있어 상호간의 열차폐와 전자기장의 차폐가 효율적으로 이루어지게 된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치

4 4

제1항에 있어서, 상기 원통형 챔버와 외주부에는 이온원이 과열되는 것을 방지하기 위하여 도가니 가열부의 외측으로 수냉관이 설치된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치

5 5

제1항에 있어서, 상기 이온건의 하단부에는 상기 도가니의 온도를 고온계로 측정하기 위한 온도측정용 구멍이 천공된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치

6 6

제1항에 있어서, 상기 가속전극은 안으로 오무라드는 구조로 형성되어 전기장의 형태를 바꿔줌으로써 이온빔의 균일성을 향상시킴을 특징으로 하는 박막 증착 장치

7 7

제1항에 있어서, 상기 자석은 영구자석과 전자석을 사용할 수 있으며, 자기장의 세기는 최대 2000 Gauss이고, 12개가 적층된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치

8 8

제1항에 있어서, 필라멘트 지지대는 몰리브텐(Mo) 또는 탄날륨(Ta)과 같은 고융점 물질을 사용하는 박막 증착장치

9 9

제1항에 있어서, 상기 원통형 챔버를 도가니용 또는 이온화용 필라멘트의 전원과 같은 전위로 연결함으로써 전자와 이온에 의하여 원통형 챔버가 차지 업되는 것을 방지하여 원통형 챔버가 일정한 전위를 유지하게 되어 균일한 이온빔을 얻도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치

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제1항에 있어서, 이온화부의 양극의 길이를 도가니 방향으로 길게 형성하여 이온화 효율을 증대시킴으로써 고전류의 이온전류밀도를 얻도록 함을 특징으로 하는 박막 증착장치

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1 US5855683 US 미국 DOCDBFAMILY
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