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반응 챔버내의 진공 유지를 위한 진공 수단과; 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 시편과; 상기 시편이 놓여지는 기판과; 상기 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 기판을 상기 반응 챔버와 절연시킴과 동시에 상기 기판과 상기 시편에 전압을 인가하고 조절하여 시편에 조사되는 이온 빔 에너지를 제어하는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치
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반응 챔버내의 진공 유지를 위한 두 개 이상의 진공 수단과; 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 시편과; 상기 시편이 놓여지는 기판과; 상기 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단과; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치
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반응 챔버내의 진공 유지를 위한 진공 수단과; 상기 반응 챔버의 상부에 설치되는 이온 빔 생성을 위한 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 조사되는 분말 시편과; 상기 분말 시편을 수용하면서 교반할 수 있는 교반기와; 상기 분말 시편으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 분말 재료의 표면 처리 장치
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제 3 항에 있어서, 상기 진공 수단은 두 개 이상의 진공 수단을 포함하고; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 분말 재료의 표면 처리 장치
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반응 챔버내의 진공 유지를 위한 진공 수단과; 상기 반응 챔버의 상하 또는 좌우에 배치되어 이온 빔을 생성하는 이온 건을 포함하는 이온 원과; 상기 이온 원으로부터 발생되는 이온 빔이 그 양면에 조사될 수 있는 시편과; 상기 시편의 전면 내지 후면으로 반응성 가스를 주입하기 위한 반응성 가스 주입 수단;으로 이루어지고, 상기 시편이 상기 이온 빔이 조사되는 영역으로 연속적으로 공급되고 배출될 수 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 분말 재료의 연속 표면 처리 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 진공 수단은 두 개 이상의 진공 수단을 포함하고; 상기 반응 챔버내의 시편에 반응성 가스가 주입되어 표면 처리되는 시편 반응부에서의 진공도가 이온 원이 속하는 부분에서의 진공도 보다 클 수 있도록 상기 두 개 이상의 진공 수단이 상기 부분에 각각 설치되고, 진공도가 서로 다른 상기 부분을 분리하기 위해 설치되는 분리막;으로 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치
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7
제 5 항에 있어서, 상기 시편은 롤(roll) 형상으로 감겨있어서 상기 반응 용기내에서는 한쪽 부분에서 풀려지며 시편 반응부로 공급되고, 시편 반응부에서 이온 빔이 조사되어 표면 처리가 행해진 후 다른 쪽 부분에서 다시금 롤 형상으로 감겨지는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치
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8
제 5 항에 있어서, 상기 시편은 웨이퍼 형상으로 공급되고 배출되는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치
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9
제 7 항에 있어서, 상기 롤은 상기 반응 챔버내에 수용되는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치
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10
제 7 항에 있어서, 상기 롤은 상기 반응 챔버 밖에 위치하여 상기 반응 챔버 밖으로부터 상기 시편 반응부를 포함하는 상기 반응 챔버내로 시편이 도입되고, 표면 처리된 시편은 다시금 상기 반응 챔버 밖에 위치하는 롤로 배출되어 감겨지는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치
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제 8 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 반응 챔버내에 복수 개 이상의 진공 수단이 설치되고, 상기 복수 개의 진공 수단이, 상기 반응 챔버밖으로부터 상기 시편 반응부로 상기 시편이 도입되는 과정에서 뿐만 아니라 상기 시편 반응부로부터 상기 반응 챔버 밖으로 표면 처리된 시편이 배출되는 과정에서, 진공도를 시편 반응부에서의 진공도가 가장 높을 수 있도록 순차적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 이온 빔을 이용한 재료의 연속 표면 처리 장치
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