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갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄갈륨비소막(3) 및 갈륨비소막(2)을 다층으로 증착한 후, 피엠엠에이(Poly Methyl Methacrylate,4)를 상기 형성된 다층구조의 최상층인 갈륨비소막(3)의 상부에 증착하고, 그 피엠엠에이(4)를 이온주입 마스크로 하여 아연 또는 실리콘이온을 주입하여, 상기 아연 또는 실리콘이온이 주입되는 부분을 알루미늄갈륨비소막(3)으로 변형시키는 단계와; 상기 공정 후 갈륨비소(2) 및 알루미늄갈륨비소(3)가 양자구조로 그 상부에 형성된 갈륨비소기판(1)을 열처리하여 상기 양자구조의 갈륨비소(2) 및 알루미늄갈륨비소(3)의 격자를 무질서하게 함으로써, 양자세선을 형성하는 단계와; 상기 무질서한 격자를 갖는 양자구조의 갈륨비소(2) 및 알루미늄갈륨비소(3)가 그 상부에 형성된 갈륨비소기판(1)을 수직방향으로 벽개하는 단계와; 상기 벽개한 무질서한 격자를 갖는 양자구조의 갈륨비소(2) 및 알루미늄갈륨비소(3)가 형성된 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착하고, 상기 알루미늄갈륨비소(3)를 산화시켜 산화알루미늄갈륨비소 또는 산화알루미늄(5)을 형성하는 단계와; 상기 산화알루미늄갈륨비소(5)를 선택적 성장마스크로 사용하는 유기금속화학증착법(MOCVD)을 사용하여 알루미늄갈륨비소막와 갈륨비소막을 반복적으로 성장시켜 갈륨비소(2)의 위에 양자점을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 벽개한 갈륨비소기판(1)에 형성된 알루미늄갈륨비소막(3)을 산화시켜 산화알루미늄갈륨비소막(5)을 형성하는 방법은 그 벽개한 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착하고, 약 95
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제1항에 있어서, 갈륨비소막(2)에 고밀도 양자점을 형성시키는 방법은 유기금속화학증착법을 이용하여 상기 갈륨비소막(2)에 그 알루미늄의 몰비가 0
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제1항 또는 제3항에 있어서 유기금속 화학증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 하고, 총 유량은 분당 5 내지 8리터로 하며, 3족 유기금속원소는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하며, 5족 원소로는 비소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법
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