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고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법

  • 기술번호 : KST2015124317
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법에 관한 것으로, 레이저 홀로그래피법과 습식식각에 의해 단주기 V홈 어레이가 형성된 갈륨비소 기판위에 유기금속화학증착법으로 AlGaAs/GaAs의 양자세선 어레이 구조를 형성하고 불필요한 양자우물층을 제거하며 레이저 발진시 전류를 양자세선으로만 흐르게 하기 위한 전류방지층을 미세패턴된 구조위에 감광막을 이용한 리소그래피 기술을 이용하여 형성함으로써, 낮은 문턱전류와 고출력을 갖는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960017439 (1996.05.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0185498-0000 (1998.12.24)
공개번호/일자 10-1997-0077753 (1997.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (19990320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.05.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민석기 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김은규 대한민국 서울특별시 강북구
3 김태근 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.05.22 수리 (Accepted) 1-1-1996-0067763-51
2 특허출원서
Patent Application		 1996.05.22 수리 (Accepted) 1-1-1996-0067761-60
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.05.22 수리 (Accepted) 1-1-1996-0067762-16
4 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0453484-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판위에 단주기 양자세선 어레이를 형성하는 공정과, 이후 감광막 마스크를 형성하여 상기 단주기 양자세선 어레이 양쪽 윗부분의 양자우물층을 제거하는 공정과, 이후 전류차단층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판은 레이저 홀로그래픽 리소그래픽에 의한 마이크로미터 이하의 주기를 갖는 단주기 V홈 어레이 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 양자세선 어레이는 유기금속화학증착법에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작 방법

4 4

제1항에 있어서, 양자우물층의 제거는 감광막을 식각 마스크로 한 습식식각으로써 수행됨을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법

5 5

제4항에 있어서, 양자우물층의 제거를 위한 습식식각은 H3PO4와, H2O2 및 H2O의 비율을 16:9:75로 하는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 전류차단층은 플라즈마화학증착법에 의한 실리콘산화막(SiO2)을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법

7 7

제6항에 있어서, 양자세선 영역의 실리콘산화막(SiO2)의 제거는 리프트 오프 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법

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1 US5827754 US 미국 DOCDBFAMILY
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