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기판연마를통한고효율태양전지제조방법

  • 기술번호 : KST2015124330
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물반도체를 이용하여 태양전지 제조하는 방법에 있어서, 그 태양전지의 효율감소의 원인 중요한 요소가 되는 태양전지의 저항을 줄임으로써, 뛰어난 효율을 가지는 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.이러한 목적을 달성하기 위하여, 두 가지 방법이 제안되며, 첫 번째 방법은 태양전지에 있어서 가장 큰 부피와 두께를 가지는 기판을 적당한 두께로 연마하고, 거울면을 형성시키는 것이고, 두 번째 방법은 금속전극을 형성한 후의 열처리에 관한 것으로, 옴접촉을 보다 좋게 하기 위하여 금속전극을 형성한 후 390∼450℃에서 3-5분간 열처리를 한다. 이러한 연마 또는 열처리 공정을 통하여, 태양전지 효율감소의 원인이 되는 직렬저항을 감소시킴으로써 충실도가 커지고 특성이 개선된 태양전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1019980030916 (1998.07.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0010160 (2000.02.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영균 대한민국 서울특별시 서초구
2 황성민 대한민국 경기도 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.07.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0094862-75
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0094863-10
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.30 수리 (Accepted) 1-1-1998-0094864-66
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0237848-19
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.11.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5359425-30
12 의견서
Written Opinion		 2000.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2000-5359412-47
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0126539-81
14 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2001-5205129-43
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0307888-45
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화합물반도체를 이용한 태양전지 제조 공정에 있어서,

두께가 350-400㎛인 상용화된 기판을 연마하여 기판의 두께를 100-150㎛로 만든 후, 기판을 거울면으로 만드는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지의 제조방법

2 2

화합물반도체를 이용한 태양전지 제조 공정에 있어서,

금속전극이 형성된 태양전지를 390∼450℃에서 3∼5분간 열처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.