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이득 지수가 높은 산화아연계 투명 도전성 박막

  • 기술번호 : KST2015124348
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가시광 영역에서의 우수한 광 투과성 및 우수한 도전성이 필요한 TFT-LCD, PDP, FED, LED, OLED와 같은 평판 디스플레이 및 태양전지에 사용되는 투명한 전극막 또는 전자기파 차폐를 위한 필터에 사용되는 투명 도전성 박막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 주성분인 산화아연에 3족의 양이온성 금속 도핑원소와 할로겐족 음이온성 도핑원소가 동시에 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막에 관한 것이다. 본 발명의 산화아연계 투명도전성 박막에 의하면 3족 양이온성 금속 원소만으로 도핑되어 있는 산화아연계 투명도전성 박막이나 할로겐족 음이온성 원소만으로 도핑되어 있는 산화아연계 투명도전성 박막보다 높은 이득 지수(Figure of merit, 전기전도도/광흡수계수)를 제공하는 효과를 달성한다. 투명도전산화물, 박막, 평판 디스플레이, 산화아연, 도핑.
Int. CL H01B 1/08 (2006.01)
CPC H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020040097647 (2004.11.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0058563 (2006.05.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인호 대한민국 서울 노원구
2 김원목 대한민국 서울특별시 노원구
3 정병기 대한민국 서울특별시 성동구
4 정증현 대한민국 서울 관악구
5 이택성 대한민국 서울 노원구
6 이경석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0553900-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.01.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2006-0010473-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0170040-60
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0381042-08
6 의견서
Written Opinion		 2006.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0381041-52
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0464552-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광 투과성과 전기전도성을 갖는 산화아연계 투명 도전성 박막에 있어서, 3족 양이온성 금속 원소와 할로겐족 음이온성 원소가 동시에 도핑되어있는 것을 특징으로 하는 이득 지수가 높은 산화아연계 투명 도전성 박막
2 2
제1항에 있어서, 상기 3족 양이온성 금속 원소는 B, Al, Ga, In, Sc로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 원소이고 할로겐족 음이온성 원소는 F, Cl, Br, I로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나이상의 원소인 것을 특징으로하는 이득 지수가 높은 산화아연계 투명 도전성 박막
3 3
제1항 및 제2항에 있어서, 상기 3족 양이온성 금속 원소는 1 내지 4 wt% 그리고 할로겐족 음이온성 원소는 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 3족 양이온성 금속 원소는 Al이며 할로겐족 음이온성 원소는 F인 것을 특징으로 하는 이득 지수가 높은 산화아연계 투명 도전성 박막
5 5
제4항에 있어서, 상기 Al의 도핑농도는 1 내지 4 wt%이며 상기 F의 도핑농도는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.