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플라즈마 전해 산화법에 사용되는 전해질 내SiO₂농도의 분석방법 및 이를 이용한 전해질의수명연장방법

  • 기술번호 : KST2015124411
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄 합금 표면에 마이크로 플라즈마를 이용하여 산화막 및 복합 세라믹 코팅을 형성시킬 때 사용하는 전해질의 수명연장기술에 관한 것이다. 본 발명은 중합되지 않은 상태로 전해질 내에 존재하는 SiO2의 농도를 빠른 시간 내에 분석하는 방법과, 이러한 분석방법에 의해 전해질 사용시간의 증가에 따라 부족해지는 전해질의 구성성분을 첨가함으로써 전해질의 수명을 연장하는 방법을 포함한다. 알루미늄, 플라즈마 전해 산화, 전해질
Int. CL C25D 13/00 (2006.01)
CPC C25D 21/14(2013.01) C25D 21/14(2013.01)
출원번호/일자 1020060094430 (2006.09.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0758895-0000 (2007.09.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오영주 대한민국 서울 영등포구
2 옥명렬 대한민국 서울 송파구
3 홍경태 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0705884-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0042261-71
4 등록결정서
Decision to grant
2007.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0470298-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
(가) SiO2 농도가 다른 복수의 전해질 샘플을 준비하는 단계;(나) 상기 복수의 전해질 샘플 각각의 플라즈마 양극 전압을 측정하여, 전해질 내 SiO2 농도의 변화에 따른 플라즈마 양극 전압의 변화를 나타내는 보정선(Calibration Line)을 구하는 단계;(다) 실제 플라즈마 전해 산화 공정이 수행된 전해질을 채취하여, 상기 (나)단계와 동일 조건에서 채취한 전해질의 플라즈마 양극 전압을 측정하는 단계;(라) 상기 (나)단계에서 구한 보정선과 상기 (다)단계에서 측정한 전압을 비교하여 실제 플라즈마 전해 산화 공정이 수행된 전해질 내 중합되지 않은 현재 SiO2 농도를 구하는 단계; 및(마) 플라즈마 전해 산화 공정이 수행되기 전 초기 SiO2 농도와 상기 (라)단계에서 구한 현재 SiO2 농도의 차이에 해당하는 SiO2 농도를 갖는 SiO2 함유 물질을 보충하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전해 산화법에 사용되는 전해질의 수명연장방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (다)단계에서 채취한 전해질을 희석시켜 희석된 전해질의 플라즈마 양극 희석 전압을 측정한 경우, 상기 (라)단계에서 상기 보정선을 이용하여 상기 희석 전압의 SiO2 농도를 구한 다음, 상기 희석 전압의 SiO2 농도에 희석 비율의 역수를 곱함으로써 현재 SiO2 농도를 구하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전해 산화법에 사용되는 전해질의 수명연장방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 (가)단계에서 세 개의 전해질 샘플을 준비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전해 산화법에 사용되는 전해질의 수명연장방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전해질 샘플 및 상기 실제 플라즈마 전해 산화 공정이 수행된 전해질은 물유리(Si02·Na2O)와 수산화칼륨(KOH)를 포함하고, 상기 (마)단계에서 보충되는 SiO2 함유 물질은 물유리인 것을 특징으로 하는 플라즈마 전해 산화법에 사용되는 전해질의 수명연장방법
5 5
(가) SiO2 농도가 다른 복수의 전해질 샘플을 준비하는 단계;(나) 상기 복수의 전해질 샘플 각각의 플라즈마 양극 전압을 측정하여, 전해질 내 SiO2 농도의 변화에 따른 플라즈마 양극 전압의 변화를 나타내는 보정선(Calibration Line)을 구하는 단계;(다) 실제 플라즈마 전해 산화 공정이 수행된 전해질을 채취하여, 상기 (나)단계와 동일 조건에서 채취한 전해질의 플라즈마 양극 전압을 측정하는 단계; 및(라) 상기 (나)단계에서 구한 보정선과 상기 (다)단계에서 측정한 전압을 비교하여 실제 플라즈마 전해 산화 공정이 수행된 전해질 내 중합되지 않은 현재 SiO2 농도를 구하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전해 산화법에 사용되는 전해질 내 SiO2 농도의 분석방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 (다)단계에서 채취한 전해질을 희석시켜 희석된 전해질의 플라즈마 양극 희석 전압을 측정한 경우, 상기 (라)단계에서 상기 보정선을 이용하여 상기 희석 전압의 SiO2 농도를 구한 다음, 상기 희석 전압의 SiO2 농도에 희석 비율의 역수를 곱함으로써 현재 SiO2 농도를 구하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전해 산화법에 사용되는 전해질 내 SiO2 농도의 분석방법
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