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수평 방향 반도체 피엔 접합 어레이 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124466
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CCl4 또는 CBr4 가스를 소량 유입시켜 수평 방향으로 PN 접합 어레이 구조를 제조할 수 있게 한 수평 방향 반도체 PN 접합 어레이 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 수평 방향으로의 PN 접합을 형성할 수가 없었다. 이러한 점을 감안하여, N형 GaAs 기판에 V형 또는 U형의 홈을 형성하고, 이후 상기 N형 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법으로 P형 에피층을 성장시키되, CCl4 또는 CBr4 가스를 유입시켜 수평방향의 P-GaAs/N-GaAs 또는 P-AlGaAs/N-GaAs PN 접합 어레이를 제조함으로써 입사된 광이 손실이 거의 없이 PN 접합부분에 곧바로 도달되고, 광전소자의 효율을 높이거나 낮은 문턱전류의 레이저 다이오드 또는 도파손실이 작은 광도파로의 제작 등에 응용될 수 있게 한 것이다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960011000 (1996.04.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0203376-0000 (1999.03.23)
공개번호/일자 10-1997-0072507 (1997.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.04.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민석기 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김성일 대한민국 서울특별시 노원구
3 김은규 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.04.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0046231-47
2 특허출원서
Patent Application		 1996.04.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0046230-02
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.04.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0046232-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0440145-43
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.01.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5001012-10
6 의견서
Written Opinion		 1999.01.06 수리 (Accepted) 1-1-1999-5001011-64
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
10 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0060209-21
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

N형 GaAs 기판에 비평면 성장을 이용하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 N형 GaAs 기판에 형성된 홈에만 유기금속화학증착(MOCVD)법으로 에피층을 성장시키되, CCl4 또는 CBr4중 선택된 하나의 가스를 유입시켜 P형 GaAs 및 P형 AlGaAs 에피층중 선택된 하나의 에피층을 형성함으로써, 수평 방향의 P-GaAs/N-GaAs 및 P-AlGaAs/N-GaAs중 선택된 하나의 PN 접합 어레이를 제조하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법

2 2

제1항에 있어서, N형 GaAs 기판에 형성된 홈은 V자 및 U자 모양의 패턴중 하나의 패턴에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법

3 3

제2항에 있어서, N형 GaAs 기판의 홈은 N형 GaAs 기판 위에 광감광제 및 마스크를 사용하여 사진 식각 방법으로 V자 및 U자 모양중 선택된 하나의 패턴을 형성하고, 이후 습식 에칭법에 의해 에칭시켜 V자 및 U자 모양중 하나의 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 습식 에칭법에 H2SO4, H2O2, H2O의 혼합용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03050826 JP 일본 FAMILY
2 JP09283796 JP 일본 FAMILY
3 US05882950 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP3050826 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP9283796 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH09283796 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5882950 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.