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(i) 도핑 금속 산화물을 포함하는 발열층; 및(ii) 상기 발열층의 적어도 일부와 접촉하는 전극을 포함하는 전도성 투명 발열막으로서,상기 발열층은 불소 도핑 주석 산화물로 이루어진 제1저항층, 그리고 상기 제1저항층의 일면과 서로 맞닿아 있으며 알루미늄 도핑 아연 산화물로 이루어진 제2저항층을 포함하는 이중층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 전도성 투명 발열막
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제1항에 있어서,상기 전극은 상기 제1저항층과 접하는 것인, 전도성 투명 발열막
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제1항에 있어서,상기 발열층은 두께가 0
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제1항에 있어서,상기 발열층은 3
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제1항에 있어서,상기 제1저항층은 400 내지 500 nm의 두께를 가지는 것인, 전도성 투명 발열막
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제1항에 있어서,상기 제2저항층은 150 내지 200 nm의 두께를 가지는 것인, 전도성 투명 발열막
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제1항에 있어서,상기 발열층은 시트 저항 값이 50 Ω/□ 이하인 것인, 전도성 투명 발열막
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제1항에 있어서,상기 발열층은 가시광선 파장대인 550 nm에서의 광투과율이 80% 이상인 것인, 전도성 투명 발열막
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불소 도핑 주석 산화물 및 알루미늄 도핑 아연 산화물의 전구체를 준비하는 제1단계; 그리고투명기재의 일면에 상기 전구체를 이용하여 발열층을 형성하는 제2단계;를 포함하고,상기 발열층은 스퍼터법, 화학기상증착법, 전자 사이크로트론 공명 플라즈마 증착법, 전자빔법, 스프레이 열분해법 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성되는 것인, 제1항에 따른 전도성 투명 발열막의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 발열층은 상기 불소 도핑 주석 산화물로 이루어진 제1저항층 및 상기 알루미늄 도핑 아연 산화물로 이루어진 제2저항층을 포함하고,상기 제1저항층 및 제2저항층은 상기 전자 사이크로트론 공명 플라즈마 증착법 또는 스퍼터법으로 형성되는 것인, 전도성 투명 발열막의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제2단계의 발열층은 스퍼터법으로 형성되고, 상기 전구체는 타켓의 형태로 적용되며, rf 출력이 90 내지 100 W이고, 증착 압력이 2 내지 3
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제13항에 있어서,상기 제1저항층과 상기 제2저항층은 순차로 형성되며, 상기 제1저항층은 400 내지 500 nm의 두께를 가지는 것이고, 상기 제2저항층은 150 내지 200 nm의 두께를 가지는 것인, 전도성 투명 발열막의 제조방법
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제1항에 따른 전도성 투명 발열막;상기 전도성 투명 발열막에 포함된 전극과 연결된 전원; 및상기 전도성 투명 발열막의 일면 또는 양면에 위치하는 투명기재;를 포함하는, 발열 창호
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제16항에 있어서,상기 발열 창호는 20 V이하의 전원에서 100 내지 350 mW/cm2의 발열량을 가지는 것인, 발열 창호
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제16항에 있어서,상기 투명기재는 유리, 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에틸렌텔레프탈레이트(polyethyleneterephtalate, PET), 폴리에텔렌나프탈레이트(polyethylenenaphtalate, PEN), 폴리에테르술폰(polyethersulfone, PES), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene, PTFE), 폴리에테르에테르케톤(polyetherketone, PEEK), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리아릴레이트(polyarylate, PAR) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 발열 창호
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