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이온빔을이용하여표면개질된고분자배양접시및그표면개질방법

  • 기술번호 : KST2015124604
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온빔을 이용하여 친수성으로 표면개질된 고분자 배양접시 및 그 표면 개질방법에 관한 것으로, 고분자 배양접시 표면으로, 반응성 기체를 유입시키면서 2000 eV 이하의 에너지를 가진 이온빔을 조사시킴으로써 상기 이온빔으로 고분자 배양접시의 표면을 활성화시키면서 활성화된 고분자 배양접시 표면과 상기 반응성 기체를 반응시켜 그 표면에 친수성기를 형성시키는 고분자 배양접시의 표면개질방법과 그에 의해 표면개질된 고분자 배양접시를 제공한다.
Int. CL C08J 7/00 (2006.01)
CPC C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01)
출원번호/일자 1019980054847 (1998.12.14)
출원인 주식회사 삼양홀딩스, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0307807-0000 (2001.08.23)
공개번호/일자 10-2000-0039496 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20011130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 삼양홀딩스 대한민국 서울특별시 종로구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고석근 대한민국 서울특별시 성북구
2 정형진 대한민국 서울특별시 광진구
3 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
4 최성창 대한민국 서울특별시 성북구
5 윤영수 대한민국 경기도 과천시
6 유영숙 대한민국 서울특별시 노원구
7 정봉철 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 삼양사 서울특별시 종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0427995-50
2 특허출원서
Patent Application		 1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0427994-15
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0427996-06
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.11.24 수리 (Accepted) 1-1-1999-5399001-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0246996-79
12 의견서
Written Opinion		 2000.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5370729-18
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5370744-04
14 등록결정서
Decision to grant		 2001.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0217444-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2002-5023400-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2004-5093562-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2010-5083089-34
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5221610-62
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

고분자 배양접시 표면으로, 반응성 기체를 유입시키면서 2000 eV 이하의 에너지를 가진 이온빔을 조사시킴으로써 상기 이온빔으로 고분자 배양접시의 표면을 활성화 시키면서 활성화된 고분자 배양접시 표면과 상기 반응성 기체를 반응시켜 그 표면에 친수성기를 형성시키는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 배양접시의 표면개질 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 반응성 기체는 산소, 질소, 이산화탄소, 일산화탄소, 오존 및 그들의 혼합기체 중에서 하나인 것을 특징으로 하는 고분자 배양접시의 표면개질 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 이온원은 콜드 할로우 캐쏘드 (cold hallow cathode) 이온원과 카프만 식 (Kaufman type) 이온원, 라디오주파수(RF) 이온원, 그리고 고주파수(HF) 이온원 중의 하나로서, 저에너지 영역에서 높은 이온빔 밀도를 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 고분자 배양접시의 표면개질 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 고분자 배양접시에 조사하는 이온의 개수는 1 ㎠의 면적당 1×1014 ~ 1×1017 개인 것을 특징으로 하는 고분자 배양접시의 표면개질 방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 친수성기는 C-O 결합, C=O 결합, O-(C=O) 결합, C-N 결합, C=N 결합 중의 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 배양접시의 표면개질 방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 고분자 배양접시는 폴리스타이렌(poly styrene), 폴리에틸렌(poly ethylene), 폴리프로필렌(poly prophylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly ethylene terephtalate) 중의 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 배양접시의 표면개질 방법

7 7

폴리스타이렌(po1y styrene), 폴리에틸렌(poly ethylene), 폴리프로필렌(poly prophylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly ethylene terephtalate) 중의 하나로 이루어지는 고분자 배양접시로서, 2000 eV 이하의 에너지를 가지는 이온빔을 조사시켜 고분자 배양접시 표면을 활성화시키면서 활성화된 고분자 배양접시 표면과 반응성 기체를 반응시킴으로써 그 표면에 물에 씻겨나가지 않는 친수성기가 형성된 것을 특징으로 하는 고분자 배양접시

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.