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청색발광용전계발광소자및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015124609
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 청색발광용 전계발광표시소자(electroluminescent display)에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 제1절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 다층구조( SrS와 SrS:Ce층을 두층 이상 연속 교번하는 구조 예컨대, SrS-SrS:Ce-SrS 다층구조)를 갖는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 헝성하는 공정 및: 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도륵 알루미늄 전극을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 1) 일차전자의 발생 및 가속층과 발광이 일어나는 층을 공간적으로 분리하는 발광층 구조를 가지게 되어 종래의 단일 SrS:Ce 구조와 비교해볼 때, 동일한 두께의 발광층을 형성하는 경우 상대적으로 높은 휘도특성을 얻을 수 있으며, 2) 발광중심을 다층구조의 중간에 도핑하므로써 발광중심인 Ce가 안정화된 결정장내에 위치하게되므로, 발광색이 안정될 뿐 아니라 동작시간 경과에 따른 특성변화를 상대적으로 감소시킬 수 있는 고신뢰성의 전계발광소자를 구현할 수 있게 된다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H05B 33/20(2013.01) H05B 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1019950000922 (1995.01.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0164456-0000 (1998.09.12)
공개번호/일자 10-1996-0030746 (1996.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (19990415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.01.20)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오명환 대한민국 서울특별시도봉구
2 한택상 대한민국 서울특별시송파구
3 이윤희 대한민국 경기도성남시분당구
4 김동호 대한민국 대구직할시수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004177-61
2 특허출원서
Patent Application		 1995.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004175-70
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004176-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0002122-18
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.06.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004178-17
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.07.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004180-09
7 의견서
Written Opinion		 1998.07.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004179-52
8 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0002123-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유리기판과; 상기 유리기판상에 형성되는 투명전극과; 상기 투명전극의 상부에 형성되는 Si3N4로 이루어지는 제1절연층과; 상기 제1절연층의 상부에 다층구조로 형성됨으로써, 모체층과 발광중심을 포함하는 모체층이 연속 교번되는 구조로 갖는 발광층과; 상기 발광층 상에 형성되는 Si3N4로 이루어지는 제2절연층과 상기 제2절연층 상에 형성되는 보호층과; 상기 보호층 상에 형성된 알루미늄 전극;으로 이루어져 상기 알루미늄 전극과 투명전극으로 교류전압이 인가되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 발광층은 SrS와 SrS:Ce 층이 두 층 이상 연속 교번되는 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자

3 3

제2항에 있어서, 상기 모체층은 ZnS, CaS, SrS 등의 Ⅱ-Ⅵ화합물 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자

4 4

제2항에 있어서, 상기 발광 중심은 전이원소 또는 히토류 원소 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자

5 5

제2항에 있어서, 상기 발광층은 SrS-SrS:Ce-SrS의 다층구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자

6 6

유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 Si3N4로 이루어지는 제1절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 모체층과 발광중심을 포함하는 모체층이 연속 교번될 수 있는 다층구조를 갖는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층 상에 Si3N4로 이루어지는 제2절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 형성하는 공정 및; 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프 공정으로 패터닝하여 서로 소정 간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 보호층은 SiOxYy로 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자의 제조방법

8 8

제6항에 있어서, 상기 발광층은 SrS와 SrS:Ce층이 두 층이상 연속 교번되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

9 9

제6항에 있어서, 상기 모체층은 ZnS, CaS, SrS등의 Ⅱ-Ⅳ화합물 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

10 10

제6항에 있어서, 상기 발광중심은 전이원소 또는 희토류 원소 중 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

11 11

제6항에 있어서, 상기 발광층은 SrS-SrS:Ce-SrS로 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

12 12

제6항 또는 제11항에 있어서, 상기 발광층은 로드-락으로 정착되어 있는 MSD장치를 이용하여 세 개의 PBN도가니에 발광층 조성원료인 Sr, S, Ce을 각각 담은 후 각 도가니에 담긴 재료의 녹는점 온도를 히터를 사용하여 정밀 제어하고 증착속도를 일정하게 유지한 뒤 증착하고자 하는 원료를 제1절연체 및 투명전극이 형성된 기판 상으로 순차적으로 날려 증착시키되 발광 중심이 포함된 SrS:Ce 모체층을 상기 SrS 모체층 중간에 증착되도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

13 13

제11항 또는 제12항에 있어서, SrS-SrS:Ce-SrS 다층구조로 이루어진 상기 발광층 증착 시의 기판 온도는 350℃로 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

14 14

제12항에 있어서, 상기 발광층의 박막 조성은 각 원료 물질을 담고 있는 도가지의 온도를 가변시켜 조절하는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

15 15

제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 직경 3인치 두께 1/8인치의 Si3N4세라믹 소결체를 이용한 스퍼터링 타게트로 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

16 16

제6항 또는 제15항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 진공도 10-3-10-2 torr 범위내의 기판 온도 120℃상태에서 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

17 17

제16항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 O2/Ar=0-40%내의 스퍼터링 분위기 하에서 RF 파워밀도 2-6W/㎠로 형성되는 것을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

18 18

제6항에 있어서, 상기 알루미늄 전극은 1500Å의 두께로 형성되는 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.