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외부의 빛을 받아 광전하를 생성시키는 광다이오드와, 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)과 비교수단의 문턱 전압(Vth)을 비교하여 출력하는 비교수단과, 상기 비교수단에서 출력된 결과를 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에 저장된 결과에 의하여 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)을 전원 전압(Vdd)로 초기화하는 초기화수단을 구비하되, 상기 비교수단에 연결되어 클럭 신호에 의하여 상기 비교수단의 동작을 제어하는 스위칭수단을 더 포함하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소에 있어서, 상기 스위칭부의 클럭 신호로서 1이 인입된 때 상기 스위칭부가 턴 온되어 상기 비교수단에 의하여 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)이 상기 비교수단의 문턱 전압(Vth)보다 작거나 같은 경우에는 0을 출력하고,상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)이 상기 비교수단의 문턱 전압(Vth)보다 큰 경우에는 1을 출력하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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외부의 빛을 받아 광전하를 생성시키는 광다이오드와, 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)과 비교수단의 문턱 전압(Vth)을 비교하여 출력하는 비교수단과, 상기 비교수단에서 출력된 결과를 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에 저장된 결과에 의하여 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)을 전원 전압(Vdd)로 초기화하는 초기화수단을 구비하되, 상기 비교수단에 연결되어 클럭 신호에 의하여 상기 비교수단의 동작을 제어하는 스위칭수단을 더 포함하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소에 있어서, 상기 스위칭부의 클럭 신호로서 0이 인입된 때상기 스위칭수단이 턴 오프되어 상기 저장수단에 저장된 출력(0 또는 1)을 유지하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 비교수단의 출력이 0인 경우에는 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)이 상기 비교수단의 문턱 전압(Vth)보다 작거나 같을 때까지 감소하고,상기 비교수단의 출력이 1인 경우에는 상기 광다이오드에 축적된 광전하를 모두 제거하고 상기 초기화수단에 의하여 상기 전원 전압(Vdd) 값으로 초기화하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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외부의 빛을 받아 광전하를 생성시키는 광다이오드와, 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)과 비교수단의 문턱 전압(Vth)을 비교하여 출력하는 비교수단과, 상기 비교수단에서 출력된 결과를 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에 저장된 결과에 의하여 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)을 전원 전압(Vdd)로 초기화하는 초기화수단을 구비하되, 상기 비교수단에 연결되어 클럭 신호에 의하여 상기 비교수단의 동작을 제어하는 스위칭수단을 더 포함하고, 상기 스위칭수단은 상기 광다이오드와 상기 저장수단 사이에 드레인-소오스 경로가 형성되며, 게이트로 클럭 신호를 입력받는 트랜지스터로 구성되는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소에 있어서,상기 트랜지스터는NMOS 또는 PMOS로 구성되되, NMOS인 경우에는 게이트로 클럭 신호(ø)를 입력받고 PMOS인 경우에는 게이트로 반전된 클럭 신호()를 입력받는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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외부의 빛을 받아 광전하를 생성시키는 광다이오드와, 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)과 비교수단의 문턱 전압(Vth)을 비교하여 출력하는 비교수단과, 상기 비교수단에서 출력된 결과를 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에 저장된 결과에 의하여 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)을 전원 전압(Vdd)로 초기화하는 초기화수단을 구비하되, 상기 비교수단에 연결되어 클럭 신호에 의하여 상기 비교수단의 동작을 제어하는 스위칭수단을 더 포함하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소에 있어서, 상기 비교수단은 상기 광다이오드와 상기 저장수단 사이에 형성되고 PMOS의 소오스 단자에는 상기 스위칭수단이 연결되고 NMOS의 소오스 단자에는 저지 전압이 연결되며, 상기 PMOS 및 NMOS의 게이트로 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)을 입력받는 시모스(CMOS) 인버터로 구성되는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 7에 있어서, 상기 스위칭수단이 상기 시모스(CMOS) 인버터의 PMOS의 드레인 단자와 NMOS의 드레인 단자 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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외부의 빛을 받아 광전하를 생성시키는 광다이오드와, 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)과 비교수단의 문턱 전압(Vth)을 비교하여 출력하는 비교수단과, 상기 비교수단에서 출력된 결과를 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에 저장된 결과에 의하여 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)을 전원 전압(Vdd)로 초기화하는 초기화수단을 구비하되, 상기 비교수단에 연결되어 클럭 신호에 의하여 상기 비교수단의 동작을 제어하는 스위칭수단을 더 포함하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소에 있어서, 상기 비교수단은상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)은 양의 단자에 입력되고 상기 비교수단의 문턱 전압(Vth)는 음의 단자에 입력되고 상기 저장수단은 출력 단자에 연결되는 OPAMP 또는 OTA(Operational Transconductance Amplifier)로 구성되는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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외부의 빛을 받아 광전하를 생성시키는 광다이오드와, 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)과 비교수단의 문턱 전압(Vth)을 비교하여 출력하는 비교수단과, 상기 비교수단에서 출력된 결과를 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에 저장된 결과에 의하여 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)을 전원 전압(Vdd)로 초기화하는 초기화수단을 구비하되, 상기 비교수단에 연결되어 클럭 신호에 의하여 상기 비교수단의 동작을 제어하는 스위칭수단을 더 포함하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소에 있어서, 상기 초기화수단은상기 광다이오드와 상기 전원 전압(Vdd)단 사이에 드레인-소오스 경로가 형성되며, 게이트로 출력 전압(Vout)을 입력받는 리셋 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 11에 있어서, 상기 리셋 트랜지스터와 상기 광다이오드 사이에 형성되며, 게이트로 클럭 신호를 입력받는 리셋(reset) 스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 12에 있어서,상기 리셋 스위치는 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 13에 있어서, 상기 트랜지스터는NMOS 또는 PMOS로 구성되되, NMOS인 경우에는 게이트로 반전된 클럭 신호()를 입력받고 PMOS인 경우에는 게이트로 클럭 신호(ø)를 입력받는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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외부의 빛을 받아 광전하를 생성시키는 광다이오드와, 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)과 비교수단의 문턱 전압(Vth)을 비교하여 출력하는 비교수단과, 상기 비교수단에서 출력된 결과를 저장하는 저장수단과, 상기 저장수단에 저장된 결과에 의하여 상기 광다이오드의 양단 전압(Vpd)을 전원 전압(Vdd)로 초기화하는 초기화수단을 구비하되, 상기 비교수단에 연결되어 클럭 신호에 의하여 상기 비교수단의 동작을 제어하는 스위칭수단을 더 포함하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소에 있어서, 상기 비교수단과 상기 저장수단 사이에 인버터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 15에 있어서, 상기 인버터는시모스(CMOS) 인버터로 구성되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 16에 있어서, 상기 인버터와 상기 저장수단 사이에 형성되며, 게이트로 클럭 신호를 입력받는 펄스 전송 스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 17에 있어서, 상기 펄스 전송 스위치는트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서 단위 화소
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청구항 18에 있어서, 상기 트랜지스터는NMOS 또는 PMOS로 구성되되, NMOS인 경우에는 게이트로 클럭 신호(ø)를 입력받고 PMOS인 경우에는 게이트로 반전된 클럭 신호()를 입력받는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 17에 있어서,상기 광다이오드의 캐소드와 상기 비교수단의 저지 전압으로 연결되는 단자에 커런트 미러 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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청구항 20에 있어서,상기 비교수단의 입력단과 출력단 사이에 커패시터와 오프셋 제거 스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스(CMOS) 이미지 센서의 단위 화소
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