반도체소자를 위한 박막 증착에 있어서,

소정의 제1전원이 인가되며 상기 박막증착을 위한 박막재료물질을 구비하고 있는 타게트장치;

소정의 분위기에서 상기 박막재료물질의 이온화를 활성화시키기 위한 세슘을 구비하여 상기 타게트장치로 공급하며 소정의 제2전원이 인가되는 세슘공급장치;

상기 타게트장치로부터 소정거리 이격되고 인가된 소정의 제3전원에 따라 상기 박막재료물질의 활성화를 위한 소정의 활성화물질 입자들의 방출을 제어하며 상기 이온화된 박막재료물질을 통과시키는 메쉬장치; 및

상기 메쉬장치로부터 소정거리 이격되고 인가된 소정의 제4전원에 따라 상기 메쉬장치를 통과한 이온화된 박막재료물질을 증착시키기 위한 기판을 지지하는 기판지지장치를 포함하며,

진공의 상태로 상기 박막 증착을 위한 소정 부피의 밀폐 공간상태로 형성되는 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항에 있어서, 상기 챔버는

상기 박막재료물질을 음이온화하여 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항에 있어서, 상기 챔버는

상기 타게트장치와 상기 메쉬장치 사이의 소정분위기로 아르곤(Ar) 분위기를 조성하여 작동시키는 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항에 있어서, 상기 타게트장치는

상기 박막재료물질을 구비하고 있는 타게트; 및

상기 타게트에 인가하여 상기 타게트 상부에 형성되는 상기 이온화된 박막재료물질 및 상기 소정의 활성화물질 입자들의 제어에 관련된 바이어스로 공급되는 상기 소정 제1전원의 타게트전원을 포함하는 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 타게트전원은

상기 박막재료물질의 이온활성화를 위한 고주파전원;

상기 고주파상태의 전원을 타게트에 효율적으로 매칭시키기 위해 상기 고주파전원에 직렬로 연결되는 매칭회로;

역방향으로 연결되고 가변가능한 상기 제1전원의 직류전원; 및

상기 고주파전원의 고주파성분의 분리를 위해 상기 직류전원에 직렬로 연결되는 저역통과필터를 포함하며,

상기 매칭회로와 상기 저역통화필터의 각 타단이 병렬로 결합되어 상기 타게트에 연결되는 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항에 있어서, 상기 세슘공급장치는

상기 박막재료물질의 이온화를 위해 사용되는 세슘을 공급하는 세슘리저버(Cs reserver);

상기 타게트장치 및 상기 메쉬장치에 갖히는 플라즈마상태의 소정 입자들에 대한 전위를 낮추도록 조절가능한 상기 제2전원의 덮개전원; 및

상기 타게트장치상부에 세슘을 공급하기 위한 통로를 형성한 상태로 상기 타게트장치의 외부를 덮고 있으며 상기 덮개전원이 연결되어 있는 덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항에 있어서, 상기 메쉬장치는

다수의 미소구멍이 형성되어 있는 판형의 필터 형태이며, 상기 타게트장치의 타게트로부터 일정거리 이격되어 위치하는 메시그리드;

상기 메시그리드를 지지하는 그리드지지대; 및

인가된 상기 제3전원에 의해 상기 박막재료물질의 활성화를 위한 소정의 활성화물질 입자들의 방출을 차단하고 상기 이온화된 박막재료물질을 통과시키기 위한 상기 제3전원의 메쉬전원을 포함하는 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 메쉬전원은

활성화물질 입자들의 제어를 위해 구분된(floating) 상태에서 순방향 형태로 배열되는 직류형태의 전원인 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항에 있어서, 상기 기판지지장치는

상기 메쉬장치로부터 소정거리 이격되며 상기 박막 증착이 수행되는 기판을 지지하는 기판지지대; 및

상기 기판 상의 박막증착을 위해 상기 이온화된 박막재료물질에 에너지를 가하는 상기 제4전원의 기판전원을 포함하는 것을 특징으로 하는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판전원은