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ＧＺＯ를 이용한 고분자-풀러린 이종접합 태양전지 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015124773
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판(2); 상기 기판(2) 상단에 갈륨이 도핑된 ZnO로 형성된 드레인 전극(4); 상기 드레인 전극 상단에 적층된 액티브층(6); 상기 액티브층(6) 상단에 적층된 완충층(8); 상기 완충층(8) 상단에 적층된 소스 전극(10)을 포함하는 유기 태양전지에 관한 것이다. 본 발명은 고분자 물질을 이용하기 때문에 휘어질 수 있으므로 다양한 물체 표면에 부착시킬 수 있고, 드레인 전극에 갈륨이 도핑된 ZnO를 사용하고, 소스 전극은 갈륨이 도핑된 ZnO보다 높은 일함수를 갖는 금속을 사용하여 저렴하고 환경에 무해할 뿐만 아니라, 대기 중에 노출되었을 때도 효율이 실질적으로 감소되지 않는 효과가 있다.유기 태양전지, GZO, 고분자, 풀러린, 소스 전극, 드레인 전극
Int. CL H01L 51/42 (2014.01)
CPC H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01)
출원번호/일자 1020060081770 (2006.08.28)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0830637-0000 (2008.05.13)
공개번호/일자 10-2008-0019434 (2008.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20080520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유경화 대한민국 서울 강남구
2 조지 오엔 미국 **** 리튼 레인 맥
3 손민수 대한민국 경기 양주시
4 이상렬 대한민국 서울 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0618485-02
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0567072-55
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0923055-94
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0923054-48
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0073086-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상단에 GZO로 형성된 드레인 전극; 상기 드레인 전극 상단에 적층된 액티브층; 상기 액티브층 상단에 적층된 완충층; 상기 완충층 상단에 적층된 소스 전극을 포함하는 유기 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 액티브층이 공액 고분자로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
3 3
제 2항에 있어서, 상기 공액 고분자가 P3HT/PCBM, P3AT/PCBM, P3OT/PCBM, MEH-PPV/PCBM 또는 MDMO-PPV/PCBM인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 완충층이 PEDOT:PSS로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
5 5
제 1항에 있어서, 상기 소스 전극이 금, 크롬, 코발트, 팔라듐, 구리 또는 니켈로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
6 6
제 1항에 있어서, 상기 기판이 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판, 폴리에틸렌나프탈레이트 기판, 폴리에테르술폰 기판, 방향족 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, 유리 기판, 석영 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 또는 갈륨비소 기판인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
7 7
기판 상단에 GZO로 형성된 드레인 전극을 적층하는 단계; 상기 드레인 전극 상단에 공액 고분자로 형성된 액티브층을 적층하는 단계; 상기 액티브층 상단에 완충층을 적층하는 단계; 및 상기 완충층 상단에 소스 전극을 적층하는 단계를 포함하는 유기 태양전지의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 드레인 전극을 적층하는 단계는 상온 내지 600℃의 온도범위에서 수행되고, 상기 액티브층을 적층하는 단계는 상온 내지 150℃의 온도범위에서 수행되며, 상기 완충층을 적층하는 단계는 상온 내지 100℃의 온도범위에서 수행되고, 상기 소스 전극을 적층하는 단계는 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.