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비정질 실리콘층의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124855
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 실리콘층의 국부적인 영역에 열, 전기장, 자기장, 레이저 조사 또는 가스 분출 등을 통해 그 국부 영역의 특성을 변화시키고 난 후, 상기 비정질 실리콘층 전체를 결정화함으로써 특성이 변화된 국부영역에 의해 결정의 크기가 폴리 실리콘층을 형성할 수 있는 방법을 개시한다.비정질 실리콘층, 폴리 실리콘층, 결정화 방법, 박막트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01)
출원번호/일자 1020060089050 (2006.09.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0803867-0000 (2008.02.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.14)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 종로구
2 정태훈 대한민국 경기 고양시 일산서구
3 박상훈 대한민국 서울 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 최태창 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0664521-71
2 보정요구서
Request for Amendment		 2006.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0127327-17
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0803306-33
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0032723-84
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0352660-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0595081-10
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0595048-13
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0691323-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부에 비정질 실리콘층이 증착된 기판을 준비하는 단계;상기 비정질 실리콘층의 국부적인 영역의 특성을 변화시키기 위하여, 돌출된 팁을 상기 비정질 실리콘층과 접근시키는 단계; 및상기 특성 변화된 상기 국부적인 영역을 결정화 씨드로 하여 상기 비정질실리콘층을 결정화하는 단계를 구비하되,상기 팁의 발열에 의하여 상기 국부적인 영역의 특성이 변화하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
2 2
삭제
3 3
상부에 비정질 실리콘층이 증착된 기판을 준비하는 단계;상기 비정질 실리콘층의 국부적인 영역의 특성을 변화시키기 위하여, 내부에 노즐을 포함하는 팁을 상기 비정질 실리콘층과 접근시키는 단계; 및상기 특성 변화된 상기 국부적인 영역을 결정화 씨드로 하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계를 구비하되,상기 노즐을 통해 가스가 분사되어 나옴에 따라, 분사된 가스에 의해 상기 국부적인 영역의 특성이 변화하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
4 4
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 방법은,고상결정방법, 금속유도결정화방법, 엑시머 레이저 어닐링 방법 또는 순차측면고상화 방식을 이용하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
5 5
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 팁은 소정 간격 이격되어 복수개가 판 형상의 구조물에 배치되는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
6 6
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 방법은 레이저를 이용하여 상부에서 상기 비정질 실리콘층을 조사하거나, 기판을 관통하는 배면 노광으로 상기 비정질 실리콘층을 조사하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
7 7
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 기판 상에 상기 비정질 실리콘층을 형성하는 단계 사이에, 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
8 8
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 국부적인 영역은 1㎛ X 1㎛ 이하로 형성되는 비정질 실리콘층의 결정화방법
9 9
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계에서, 결정화를 촉진시키기 위해 전기장 또는 자기장을 인가하는 단계를 더 포함하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
10 10
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층의 국부적인 영역의 특성을 변화시키기는 단계는 상기 국부적인 영역을 단일 결정립을 갖는 결정화씨드로 형성하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
11 11
제1 항 또는 제3 항에 의한 비정질 실리콘층의 결정화 방법에 의하여 기판 상에 폴리실리콘층이 준비되는 단계;상기 폴리실리콘층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상부에 게이트 전극, 상기 활성층에 접속되는 소오스, 드레인 전극을 형성하는 단계를 구비하는 박막 트랜지스터 제조 방법
12 12
기판 상에 게이트 전극과 게이트 절연층을 형성하는 단계;제1 항 또는 제3 항에 의한 비정질 실리콘층의 결정화 방법에 의하여 기판 상에 폴리실리콘층이 준비되는 단계;상기 폴리실리콘층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상부에 층간절연막을 형성하는 단계; 및상기 층간절연막 상부에 상기 활성층에 접속되는 컨택을 구비하는 소오스, 드레인 전극을 형성하는 단계를 구비하는 박막 트랜지스터 제조 방법
13 13
제11 항에 있어서,상기 활성층의 채널부는 상기 결정화 씨드를 벗어나(결정화 씨드가 형성된 부위 이외에) 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법
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1 WO2008032917 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2008032917 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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