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저전압 하이브리드 발룬 회로 및 그를 이용한 차동 저잡음증폭기

  • 기술번호 : KST2015124997
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 입력 신호원으로부터의 입력신호를 인가받아 상기 입력신호와 동위상인 동위상 신호를 출력하는 PMOS와 상기 입력신호와 역위상인 역위상 신호를 출력하는 NMOS로 이루어진 이득 보상 증폭부와, 상기 입력신호원으로부터의 입력신호를 인가받아 상기 입력신호와 동위상인 동위상 신호 및 상기 입력신호와 역위상인 역위상 신호를 각각으로 출력하는 수동형 발룬와, 상기 PMOS에서 출력된 동위상 신호와 상기 수동형 발룬에서 출력된 동위상 신호가 상호 결합하여 보상된 동위상 신호를 출력하는 동위상 신호 출력부 및 상기 NMOS에서 출력된 역위상 신호와 상기 수동형 발룬에서 출력된 역위상 신호가 상호 결합하여 보상된 역위상 신호를 출력하는 역위상 신호 출력부로 이루어진 것을 특징으로 하는 저전압 하이브리드 발룬 회로 및 그를 이용한 차동 저잡음 증폭기에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 이득 보상용 증폭부와 수동형 발룬이 결합되어 저전압 하이브리드 발룬 회로를 형성하기 때문에 수동형 발룬에 비하여 이득이 높고 RF 수신기에 적용할 시에 수신기 전체의 잡음지수를 효율적으로 감소시킬 수 있으며, 이득보상용 증폭부가 NMOS와 PMOS로 이루어지기 때문에 저전압으로 구동할 수 있는 이점이 있다. 또한, 저전압 하이브리드 발룬 회로와 저잡음 증폭기가 일체적으로 직렬 결합되어 하나의 단일한 공통 전원부에 의하여 구동되기 때문에 전력소모가 현저히 줄어들 수 있으므로 인하여 저전압, 저전력 및 완전 차동형으로 동작되는 RF 수신기의 전단에 적용할 수 있는 효과가 있다.저잡음 증폭기, 발룬, 하이브리드 발룬, CMOS, 잡음지수, 보상, 차동, RF 수신기
Int. CL H03F 3/45 (2006.01)
CPC H03F 3/45766(2013.01) H03F 3/45766(2013.01) H03F 3/45766(2013.01) H03F 3/45766(2013.01) H03F 3/45766(2013.01)
출원번호/일자 1020070047124 (2007.05.15)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0856443-0000 (2008.08.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신현철 대한민국 서울 노원구
2 박주봉 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0357842-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028771-50
4 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0281672-44
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 신호원으로부터의 입력신호를 인가받아 상기 입력신호와 동위상인 동위상 신호를 출력하는 PMOS 및 상기 입력신호와 역위상인 역위상 신호를 출력하는 NMOS로 이루어진 이득 보상 증폭부와; 상기 입력신호원으로부터의 입력신호를 인가받아 상기 입력신호와 동위상인 동위상 신호 및 상기 입력신호와 역위상인 역위상 신호를 각각으로 출력하는 수동형 발룬과; 상기 PMOS에서 출력된 동위상 신호와 상기 수동형 발룬에서 출력된 동위상 신호가 상호 결합하여 보상된 동위상 신호 출력하는 동위상 신호 출력부 및 상기 NMOS에서 출력된 역위상 신호와 상기 수동형 발룬에서 출력된 역위상 신호가 상호 결합하여 보상된 역위상 신호를 출력하는 역위상 신호 출력부로 이루어진 것을 특징으로 하는 이득이 보상된 저전압 하이브리드 발룬 회로
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 이득 보상 증폭부의 PMOS와 NMOS와 입력신호원 사이에는 직류성분을 차단하는 제 1 및 제 2 캐패시터가 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 이득이 보상된 저전압 하이브리드 발룬 회로
3 3
입력 신호원으로부터의 입력신호를 인가받아 상기 입력신호와 동위상인 동위상 신호를 출력하는 PMOS 및 상기 입력신호와 역위상인 역위상 신호를 출력하는 NMOS로 이루어진 이득 보상 증폭부와, 상기 입력신호원으로부터의 입력신호를 인가받아 상기 입력신호와 동위상인 동위상 신호 및 상기 입력신호와 역위상인 역위상 신호를 각각으로 출력하는 수동형 발룬과, 상기 PMOS에서 출력된 동위상 신호와 상기 수동형 발룬에서 출력된 동위상 신호가 상호 결합하여 보상된 동위상 신호 출력하는 동위상 신호 출력부 및 상기 NMOS에서 출력된 역위상 신호와 상기 수동형 발룬에서 출력된 역위상 신호가 상호 결합하여 보상된 역위상 신호를 출력하는 역위상 신호 출력부로 이루어진 저전압 하이브리드 발룬 회로와; 상기 저전압 하이브리드 발룬 회로의 동위상 신호 출력부로부터 출력된 동위상 신호를 입력받아 역위상 신호로 증폭하여 출력하는 제 1 증폭부 및 상기 저전압 하이브리드 발룬 회로의 역위상 신호 출력부로부터 출력된 역위상 신호를 입력받아 동위상 신호로 증폭하여 출력하는 제 2 증폭부로 이루어져 차동 출력하는 저잡음 증폭부; 및 상기 저전압 하이브리드 발룬 회로와 상기 저잡음 증폭기를 구동하는 하나의 단일한 공통 전원부를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이득이 보상된 저전압 하이브리드 발룬 회로를 이용한 차동 저잡음 증폭기
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 저잡음 증폭부의 제1증폭부는, 상기 저전압 하이브리드 발룬 회로의 동위상 신호 출력부로부터 신호를 인가받는 공통 소스형의 NMOS와 상기 NMOS와 공통 게이트형의 NMOS가 연결되며, 상기 저잡음 증폭부의 제2증폭부는, 상기 저전압 하이브리드 발룬 회로의 역위상 신호 출력부로부터 신호를 인가받는 공통 소스형의 NMOS와 상기 NMOS와 공통 게이트형의 NMOS가 연결되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 이득이 보상된 저전압 하이브리드 발룬 회로를 이용한 차동 저잡음 증폭기
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 제1증폭부의 공통 소스형 NMOS와 상기 제2증폭부의 공통 소스형 NMOS가 상호 연결된 공통단자와 상기 저전압 하이브리드 발룬의 수동형 발룬 사이에는 인덕터와 캐패시터로 이루어진 병렬 LC 탱크 회로가 연결 형성되어 저전압으로 동작되는 것을 특징으로 하는 이득이 보상된 저전압 하이브리드 발룬 회로를 이용한 차동 저잡음 증폭기
6 6
청구항 3에 있어서, 상기 이득 보상 증폭부에 형성된 PMOS와 NMOS는 상기 입력신호원의 입력신호를 차동 증폭하는 것을 특징으로 하는 이득이 보상된 저전압 하이브리드 발룬 회로를 이용한 차동 저잡음 증폭기
7 7
청구항 3 또는 청구항 6에 있어서, 상기 입력신호원과 상기 이득 보상 증폭부의 PMOS 및 상기 입력신호원과 상기 이득 보상 증폭부의 NMOS 사이에는 직류성분을 차단하는 제 1 및 제 2 캐패시터가 각각으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이득이 보상된 저전압 하이브리드 발룬 회로를 이용한 차동 저잡음 증폭기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.