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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법으로 실리콘다이옥사이드(SiO2)와 세륨다이옥사이드(CeO2)를 함께 증착하여, 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층 상부에 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보도록 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막 상부에 유기절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 지르코늄 또는 하프늄 등의 원소의 산화물을 함께 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 유기절연막은 PVP(PolyVinyl Phenol), 폴리이미드, BCB(BenzoCyclo Butene), 파릴렌(parylene) 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기 반도체층으로 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파 6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실리 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 우도체, 폴리파라페릴렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 형성하는 단계에서, 아르곤 이온, 크립톤 이온, 또는 제논 이온 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 형성하는 단계에서, 산소 가스를 함께 공급하여 주는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판으로 유리 재질의 기판 또는 플라스틱 재질의 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법으로 실리콘다이옥사이드(SiO2)와 세륨다이옥사이드(CeO2)를 함께 증착하여 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 전극 상부에 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상부에 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보도록 형성된 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 11 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 상기 유기 반도체층 사이에 유기 절연막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 11 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 지르코늄 또는 하프늄의 산화물을 더 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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