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가변 용량 다이오드를 이용한 저잡음 증폭기 및 이의 구동 방법

  • 기술번호 : KST2015125310
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가변 용량 다이오드를 이용한 저잡음 증폭기 및 이의 구동 방법을 개시한다. 본 발명은 입력 신호를 저잡음으로 증폭하는 증폭기에 있어서, 상기 입력 신호를 입력 받는 입력단, 게이트단이 상기 입력단으로 연결되며, 소스단이 접지에 연결되는 제1 트랜지스터 및 상기 게이트단 및 상기 소스단 사이에 연결되는 적어도 둘 이상의 가변 용량 다이오드를 구비하는 커패시터 가변부를 포함한다. 본 발명에 따르면 간단한 구성으로 광대역에서 높은 이득 특성 및 낮은 잡음지수를 갖는 저잡음 증폭이 가능한 장점이 있다. 저잡음, 증폭기, 스위치드 커패시터, 가변 용량 다이오드, 트랜지스터
Int. CL H03F 1/26 (2006.01) H03F 1/30 (2006.01)
CPC H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01) H03F 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1020080086930 (2008.09.03)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0985473-0000 (2010.09.29)
공개번호/일자 10-2010-0027847 (2010.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20101005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재용 대한민국 서울특별시 은평구
2 신현철 대한민국 서울특별시 노원구
3 이성구 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)
3 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0628093-66
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0631888-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0063000-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0126310-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0324728-67
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0324744-98
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0418777-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 신호를 저잡음으로 증폭하는 증폭기에 있어서, 상기 입력 신호를 입력 받는 입력단; 게이트단이 상기 입력단으로 연결되며, 소스단이 접지에 연결되는 제1 트랜지스터-상기 게이트단 및 상기 소스단에는 서로 다른 바이어스 전압이 걸림-; 및 상기 게이트단 및 상기 소스단 사이에 연결되며, 적어도 둘 이상의 가변 용량 다이오드를 구비하는 커패시터 가변부를 포함하되, 상기 커패시터 가변부는 제1 및 제2 가변 용량 다이오드와 상기 제1 및 제2 가변 용량 다이오드 사이에서 가변 전압을 공급하는 가변 전압 공급부를 포함하고, 상기 제1 가변 용량 다이오드의 캐소드 및 상기 제2 가변 용량 다이오드의 캐소드가 서로 마주 보는 방향으로 배치되며, 상기 제1 가변 용량 다이오드의 애노드는 소스단에 연결되고, 상기 제2 가변 용량 다이오드의 애노드는 게이트단에 연결되는 저잡음 증폭기
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가변 용량 다이오드는 축적모드형 버랙터 다이오드(Accumulation-mode MOS Varactor Diode)인 저잡음 증폭기
5 5
입력 신호를 저잡음으로 증폭하는 증폭기에 있어서, 상기 입력 신호를 입력 받는 입력단; 게이트단이 상기 입력단으로 연결되며, 소스단이 접지에 연결되는 제1 트랜지스터-상기 게이트단 및 상기 소스단에는 서로 다른 바이어스 전압이 걸림-; 및 상기 게이트단 및 상기 소스단 사이에 연결되며, 적어도 둘 이상의 가변 용량 다이오드를 구비하는 커패시터 가변부를 포함하되, 상기 커패시터 가변부는 캐소드가 마주보도록 연결되는 제1 및 제2 가변 용량 다이오드, 상기 제1 및 제2 가변 용량 다이오드 사이에서 가변 전압을 공급하는 제1 가변 전압 공급부, 캐소드가 마주 보도록 연결되는 제3 및 제4 가변 용량 다이오드; 및 상기 제3 및 제4 가변 용량 다이오드 사이에서 가변 전압을 공급하는 제2 가변 전압 공급부를 포함하되, 상기 제1 및 제2 가변 용량 다이오드와 상기 제3 및 제4 가변 용량 다이오드는 소정 노드를 기준으로 직렬로 연결되며, 상기 제1 가변 용량 다이오드의 애노드는 상기 게이트단에 연결되며, 상기 제4 가변 용량 다이오드의 애노드는 소스단에 연결되는 저잡음 증폭기
6 6
삭제
7 7
입력 신호를 저잡음으로 증폭하는 증폭기에 있어서, 제1 입력 신호를 입력 받는 제1 입력단; 게이트단이 상기 제1 입력단에 연결되며, 소스단이 접지에 연결되는 제1 트랜지스터-상기 게이트단 및 상기 소스단에는 서로 다른 바이어스 전압이 걸림-; 상기 제1 트랜지스터의 게이트단 및 소스단 사이에 연결되며, 적어도 둘 이상의 가변 용량 다이오드를 구비하는 제1 커패시터 가변부; 제2 입력 신호를 입력 받는 제2 입력 단자; 게이트단이 상기 제2 입력단에 연결되며, 소스단이 상기 접지에 연결되는 제2 트랜지스터; 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트단 및 소스단 사이에 연결되며, 적어도 둘 이상의 가변 용량 다이오드를 구비하는 제2 커패시터 가변부를 포함하되, 상기 제1 커패시터 가변부는, 서로 캐소드가 마주 보도록 연결되는 제1 및 제2 가변 용량 다이오드 및 상기 제1 및 제2 가변 용량 다이오드 사이에서 가변 전압을 공급하는 제1 가변 전압 공급부를 포함하며, 상기 제1 가변 용량 다이오드의 애노드는 상기 제1 트랜지스터의 소스단에 연결되고, 상기 제2 가변 용량 다이오드의 애노드는 상기 제1 트랜지스터의 게이트단에 연결되며, 상기 제2 커패시터 가변부는 서로 캐소드가 마주 보도록 연결되는 제3 및 제4 가변 용량 다이오드 및 상기 제3 및 제4 가변 용량 다이오드 사이에서 가변 전압을 공급하는 제2 가변 전압 공급부를 포함하고, 상기 제3 가변 용량 다이오드의 애노드는 상기 제2 트랜지스터의 소스단에 연결되고, 상기 제4 가변 용량 다이오드의 애노드는 상기 제2 트랜지스터의 게이트단에 연결되는 저잡음 증폭기
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 커패시터 가변부의 가변 용량 다이오드 중 적어도 하나 및 상기 제2 커패시터 가변부의 가변 용량 다이오드 중 적어도 하나는 인턱터를 통해 전기적으로 연결되는 저잡음 증폭기
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 출력부에는 이득을 조절하기 위한 가변 저항부가 삽입되는 저잡음 증폭기
11 11
제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 출력부에는 출력 정합을 위한 스위치드 커패시터 배열이 제공되는 저잡음 증폭기
12 12
삭제
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 정보통신연구진흥원 대학 IT 연구센터육성지원 차세대 RFID/USN 기술연구개발