| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하며, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 6 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 화학식으로 표시되는 화합물인 전자 받개 화합물
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
알데히드기를 포함하는 출발 물질과 하이드라자이드(hydrazide) 화합물을 반응시켜 하이드라존(hydrazone) 화합물을 제조하는 단계;그리고 상기 하이드라존 화합물과 질소 원자를 포함하는 헤테로고리화합물이 반응하여 생성되는 카빈(carbene) 화합물을 폴리사이클릭 방향족 화합물에 부가시켜 하기 화학식 2 내지 6으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 화학식으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계;를 포함하는 전자 받개 화합물의 제조 방법
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 알데히드기를 포함하는 출발 물질은 일단에 알데히드기를 포함하며,타단이 알킬기, 플루오르화 알킬기, 알킬에테르기, 알킬에스테르기 및 알킬카보네이트기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기로 치환되고,상기 치환기는 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 플루오르화 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 플루오르화 아릴기, 헤테로아릴기, 비닐기, 아크릴레이트기, 메타크릴레이트기, 벤조에이트기, 디하이드로 티에노 다이옥신일기, 디하이드로 티에노 다이옥세핀일기 및 부타디엔일 옥시 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 치환된 것인전자 받개 화합물의 제조 방법
|
| 5 |
5
제3 항에 있어서,상기 하이드라자이드 화합물은 p-톨루엔술포닐 하이드라자이드(p-toluenesulfonyl hydrazide)이고,상기 하이드라존 화합물은 p-토실하이드라존(p-tosylhydrazone) 유도체인 것인전자 받개 화합물의 제조 방법
|
| 6 |
6
제3 항에 있어서,상기 질소 원자를 포함하는 헤테로고리화합물은피롤(pyrrole), 피라진(pyrazine), 피리미딘(pyrimidine), 피리다진(pyridazine), 피리딘(pyridine), 피페라진(piperazine), 이미다졸(imidazole), 피라졸(pyrazole), 페나진(phenazine), 인돌(indol), 카바졸(carbazole), 인돌린(indoline), 퀴놀린(quinoline), 아크리딘(arcridine) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 전자 받개 화합물의 제조 방법
|
| 7 |
7
제3 항에 있어서,상기 하이드라존(hydrazone) 화합물을 제조하는 단계는상기 알데히드기를 포함하는 출발 물질과 상기 하이드라자이드 화합물의 혼합물을 60 내지 80℃에서 60 내지 80 시간 동안 환류시키는 단계를 포함하는 것인전자 받개 화합물의 제조 방법
|
| 8 |
8
제3 항에 있어서,상기 카빈 화합물을 폴리사이클릭 방향족 화합물에 부가시키는 단계는상기 하이드라존 화합물 및 상기 질소 원자를 포함하는 헤테로고리화합물을 혼합하고 상기 폴리사이클릭 방향족 화합물을 투입하기 전에, 20 내지 30℃에서 20 내지 30 시간 동안 교반하는 단계를 포함하는 것인전자 받개 화합물의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8 항에 있어서,상기 교반하는 단계는상기 하이드라존 화합물 및 상기 질소 원자를 포함하는 헤테로고리화합물의 혼합물에 KOMe, KOEt, NaOMe, NaOEt 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 더 첨가하고 교반하는 것인전자 받개 화합물의 제조 방법
|
| 10 |
10
제3 항에 있어서,상기 카빈 화합물을 폴리사이클릭 방향족 화합물에 부가시키는 단계는상기 하이드라존 화합물, 상기 질소 원자를 포함하는 헤테로고리화합물 및 상기 폴리사이클릭 방향족 화합물의 혼합물을 60 내지 80℃에서 10 내지 15 시간 동안 1차 환류시키고, 150 내지 200℃에서 12 내지 36 시간 동안 2차 환류시키는 단계를 포함하는 것인전자 받개 화합물의 제조 방법
|
| 11 |
11
제1 항에 따른 전자 받개 화합물을 포함하는 광전 필름
|
| 12 |
12
제1 항에 따른 전자 받개 화합물을 포함하는 광전 소자
|
