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자체 수리 기능을 포함하는 반도체 메모리 장치 및 그것의 자체 수리 방법
- 기술번호 : KST2015125475
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법은 고장 메모리 셀들을 어드레스에 따라 선도 메모리 셀 그룹, 보완 메모리 셀 그룹, 그리고 비보완 메모리 셀 그룹으로 분류하는 단계, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 참조하여 제 1 초기 종결 조건 만족 여부를 판단하는 단계, 상기 제 1 초기 종결 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 선도 메모리 셀 그룹 및 보완 메모리 셀 그룹을 참조하여 제 2 초기 종결 조건 만족 여부를 판단하는 단계, 및 상기 제 2 초기 종결 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 고장 메모리 셀들을 스패어 메모리 블록으로 교체하는 단계를 포함한다. 이 경우, 상기 교체 동작은 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 이에 대응하는 선도메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 함께 수리되도록 한다. |
|---|---|
| Int. CL | G11C 8/06 (2006.01) G11C 29/00 (2006.01) G11C 8/04 (2006.01) |
| CPC | G11C 29/70(2013.01) G11C 29/70(2013.01) G11C 29/70(2013.01) G11C 29/70(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090067917 (2009.07.24) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0010381 (2011.02.01) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 거절 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.07.24) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 강성호 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.07.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0454617-44 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.01.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0014576-67 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0107915-54 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0522874-95 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.10.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0851561-91 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 7 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.04.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0204337-53 |
| 8 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2012.05.04 | 수리 (Accepted) | 7-1-2012-0021700-81 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법에 있어서, 고장 메모리 셀들을 어드레스에 따라 선도 메모리 셀 그룹, 보완 메모리 셀 그룹, 그리고 비보완 메모리 셀 그룹으로 분류하는 단계; 상기 선도 메모리 셀 그룹을 참조하여 제 1 초기 종결 조건 만족 여부를 판단하는 단계; 상기 제 1 초기 종결 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 선도 메모리 셀 그룹 및 보완 메모리 셀 그룹을 참조하여 제 2 초기 종결 조건 만족 여부를 판단하는 단계; 및 상기 제 2 초기 종결 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 고장 메모리 셀들을 스패어 메모리 블록으로 교체하는 단계를 포함하되, 상기 교체 동작은 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 이에 대응하는 선도메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 함께 수리되도록 하는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 초기 종결 조건은 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들의 수가 상기 스패어 메모리 블록의 수보다 클 때 만족되는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 초기 종결 조건을 만족하는 경우, 상기 고장 메모리 셀의 수리가 불가능한 것으로 판단되어 수리 동작이 종료되는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 초기 종결 조건을 만족하지 않고 상기 보완 메모리 셀 그룹 및 비보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 존재하지 않는 경우, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀을 상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 초기 종결 조건은 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들의 수와 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들 중 행 방향 및 열 방향으로 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들을 가지는 고장 메모리 셀들의 수의 합이 상기 스패어 메모리 블록의 수보다 클 때 만족되는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 초기 종결 조건을 만족하는 경우, 상기 고장 메모리 셀의 수리가 불가능한 것으로 판단되어 수리 동작이 종료되는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 이에 대응하는 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 함께 수리되도록, 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀의 플래그 정보를 참조하여, 행 방향 또는 열 방향으로 상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 교체 동작 후에 상기 비보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들을 어드레스에 따라 상기 보완 메모리 셀 그룹에 포함되도록 변환하는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 이에 대응하는 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 함께 수리되도록 행 방향 또는 열 방향으로 상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀은 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 다른 고장 메모리 셀과 행 또는 열 어드레스가 동일하지 않으면서 행 어드레스와 열 어드레스의 합이 가장 작은 고장 메모리 셀인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 자체 수리 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 보완 메모리 셀 그룹은 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 행 또는 열 어드레스가 동일한 고장 메모리 셀들로 구성되는 반도체 메모리 장치의 자체 수리방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 비보완 메모리 셀 그룹은 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 적어도 두 개 이상의 고장 메모리 셀들과 행 또는 열 어드레스가 동일한 고장 메모리 셀들로 구성되는 반도체 메모리 장치의 자체 수리방법 |
| 13 |
13 자체 수리 기능을 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 메모리 셀 어레이; 상기 메모리 셀 어레이의 고장 메모리 셀들을 검출하는 메모리 자체 테스트 회로; 및 상기 메모리 자체 테스트 회로에서 검출된 고장 메모리 셀들을 스패어 메모리 블록으로 대체하는 자가 리던던시 분석 회로을 포함하되, 상기 메모리 자체 테스트 회로에서 검출된 고장 메모리 셀은 어드레스 정보에 따라 선도 메모리 셀 그룹, 보완 메모리 셀 그룹, 그리고 비보완 메모리 셀 그룹으로 분류되고, 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 이에 대응하는 선도메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 함께 수리되도록 상기 스패어 메모리 블록과 교체되는 반도체 메모리 장치 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀은 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 다른 고장 메모리 셀과 행 또는 열 어드레스가 동일하지 않으면서 행 어드레스와 열 어드레스의 합이 가장 작은 고장 메모리 셀이고, 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀은 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 행 또는 열 어드레스가 동일한 고장 메모리 셀이며, 상기 비보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀은 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 적어도 두 개 이상의 고장 메모리 셀과 행 또는 열 어드레스가 동일한 고장 메모리 셀인 반도체 메모리 장치 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀의 수가 상기 스패어 메모리 블록의 수보다 클 때 상기 고장 메모리 셀의 수리가 불가능한 것으로 판단하는 자체 수리 가능한 반도체 메모리 장치 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 고장 메모리 셀의 수리가 가능한 것으로 판단되고, 상기 선도 메모리 셀 그룹 및 비보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들이 존재하지 않는 경우, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 상기 스패어 메모리 블록으로 교체되는 자체 수리 가능한 반도체 메모리 장치 |
| 17 |
17 제 14 항에 있어서, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들의 수와 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들 중 행 또는 열 방향으로 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들을 가지는 고장 메모리 셀들의 수의 합이 상기 스패어 메모리의 블록의 수보다 클 때 상기 고장 메모리 셀들의 수리가 불가능한 것으로 판단하는 반도체 메모리 장치 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 고장 메모리 셀들의 수리가 가능한 것으로 판단된 경우, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 이에 대응하는 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 함께 수리되도록, 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀의 플래그 정보를 참조하여, 행 방향 또는 열 방향으로 상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 자체 수리 가능한 반도체 메모리 장치 |
| 19 |
19 제 18 항에 있어서, 상기 교체 동작 후에 상기 비보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀들을 어드레스에 따라 상기 보완 메모리 셀 그룹에 포함되도록 변환하는 자체 수리 가능한 반도체 메모리 장치 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 선도 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀과 이에 대응하는 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀이 함께 수리되도록, 상기 보완 메모리 셀 그룹을 이루는 고장 메모리 셀의 플래그 정보를 참조하여, 행 또는 열 방향으로 상기 스패어 메모리 블록으로 교체하는 자체 수리 가능한 반도체 메모리 장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 학술진흥재단 | 연세대학교 산학협력단 | BK21 | TMS정보기술사업단 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.07.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0454617-44 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2011.01.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0014576-67 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.02.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0107915-54 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.09.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0522874-95 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.10.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0851561-91 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 7 | 거절결정서 | 2012.04.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0204337-53 |
| 8 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.05.04 | 수리 (Accepted) | 7-1-2012-0021700-81 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345096870 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1606 |
| 연구과제명 | TMS정보기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 연세대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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