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얕은 접합층을 갖는 트랜지스터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015125477
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 실리콘 기판을 제공하는 단계와; (b) 상기 실리콘 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 단계와; (c) 상기 게이트 패턴 및 실리콘 기판 표면 전체에 걸쳐 보호막을 형성하는 단계와; (d) 상기 기판 상의 보호막 중 소오스-드레인 부분의 보호막을 제거하는 단계와; (e) 상기 보호막이 제거된 소오드-드레인 부분을 식각하여 소오스-드레인 영역을 형성하는 단계와; (f) 상기 소오스-드레인 영역에 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층을 에피택시얼하게 증착함과 아울러 소오스-드레인을 형성하는 단계와; (g) 이온 임플랜테이션 방법을 이용하여 도펀트를 주입하여 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층 내에 도펀트층을 형성하는 단계와; (h) 산화 공정을 이용하여 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층 표면에 산화막을 형성하여, 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층의 4족 원소가 상기 산화막 쪽으로부터 아래로 밀려나도록 함으로써, 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층의 4족 원소 농도보다 높은 농도의 4족 원소를 갖는 제2 실리콘-4족 원소 고용체 층을 상기 산화막과 상기 도펀트층 사이에 형성함과 아울러 상기 도펀트층에서 밀려나온 도펀트가 응축된 얕은 접합층을 형성하는 단계와; (i) 상기 산화막을 제거하고, 상기 기판 상의 보호막을 건식 식각함과 동시에 상기 게이트 패턴 상부의 보호막을 식각하면서 게이트 패턴 양 옆으로 스페이서를 형성함과 아울러, 상기 기판의 표면위로 상기 제2 실리콘-4족 원소 고용체 층이 돌출되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01L 29/66628(2013.01) H01L 29/66628(2013.01) H01L 29/66628(2013.01) H01L 29/66628(2013.01)
출원번호/일자 1020090077997 (2009.08.24)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1085884-0000 (2011.11.16)
공개번호/일자 10-2011-0020399 (2011.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20111122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고대홍 대한민국 경기 고양시 일산서구
2 손현철 대한민국 서울 강남구
3 조만호 대한민국 서울 용산구
4 김상연 대한민국 경기 성남시 분당구
5 유정호 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0514891-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0033159-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0225635-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0485592-65
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0485601-99
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0656638-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 기판을 제공하는 단계와; (b) 상기 실리콘 기판 상에 게이트 패턴을 형성하는 단계와; (c) 상기 게이트 패턴 및 실리콘 기판 표면 전체에 걸쳐 보호막을 형성하는 단계와; (d) 상기 기판 상의 보호막 중 소오스-드레인 부분의 보호막을 제거하는 단계와; (e) 상기 보호막이 제거된 소오드-드레인 부분을 식각하여 소오스-드레인 영역을 형성하는 단계와; (f) 상기 소오스-드레인 영역에 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층을 에피택시얼하게 증착함과 아울러 소오스-드레인을 형성하는 단계와; (g) 이온 임플랜테이션 방법을 이용하여 도펀트를 주입하여 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층 내에 도펀트층을 형성하는 단계와; (h) 산화 공정을 이용하여 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층 표면에 산화막을 형성하여, 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층의 4족 원소가 상기 산화막 쪽으로부터 아래로 밀려나도록 함으로써, 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층의 4족 원소 농도보다 높은 농도의 4족 원소를 갖는 제2 실리콘-4족 원소 고용체 층을 상기 산화막과 상기 도펀트층 사이에 형성함과 아울러 상기 도펀트층에서 밀려나온 도펀트가 응축된 얕은 접합층을 형성하는 단계와; (i) 상기 산화막을 제거하고, 상기 기판 상의 보호막을 건식 식각함과 동시에 상기 게이트 패턴 상부의 보호막을 식각하면서 게이트 패턴 양 옆으로 스페이서를 형성함과 아울러, 상기 기판의 표면위로 상기 제2 실리콘-4족 원소 고용체 층이 돌출되도록 하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 (f) 단계에서 상기 제1 실리콘-4족 원소 고용체 층은 상기 보호막의 표면 높이까지 증착되는 것을 특징으로 하는 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 (h) 단계에서 상기 제2 실리콘-4족 원소 고용체 층은 소오스-드레인 영역에서 상기 보호막의 표면 높이보다 낮은 높이의 두께로 형성되도록 상기 산화 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (g) 단계에서 상기 도펀트층은 상기 보호막의 표면 높이까지 형성되는 것을 특징으로 하는 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 (h) 단계에서 상기 도펀트층은 상기 보호막의 높이보다 낮게 그리고 상기 기판 내의 소오스/드레인 영역 내에 형성되도록 상기 산화공정을 조절하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 (i) 단계를 수행한 후에, 상기 제2 실리콘-4족 원소 고용체 층의 표면 및 상기 게이트의 상단 표면에 실리사이드 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 제2 실리콘-4족 원소 고용체 층은 상기 실리사이드 층 형성시 소모되는 실리콘의 양과 상기 접합층의 두께를 고려하여 상기 산화 공정을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 실리사이드 층 형성 후, 상기 제2 실리콘-4족 원소 고용체 층은 그 두께가 상기 기판의 표면까지 이르는 것을 특징으로 하는 얕은 접합층을 포함하는 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술평가원 연세대학교 IT원천기술개발사업 나노접합(junction)을 이용한 차세대 미래소자 개발