| 1 |
1
탄소계 나노소재를 함유하는 판상 구조체를 2개 이상 포함하고,
상기 판상 구조체는 서로 이격된 상태로 배치되어, 층상 구조를 이루고 있는 마이크로어레이
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 판상 구조체의 두께 방향으로 성장하여, 상기 구조체를 연결하고 있는 2개 이상의 제 2 구조체를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 판상 구조체는 평균 두께가 0
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 판상 구조체간의 평균 간격이 0
|
| 5 |
5
제 2 항에 있어서, 제 2 구조체간의 평균 간격이 0
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 탄소계 나노소재가 탄소나노튜브, 탄소 섬유, 그래핀 및 풀러렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 탄소계 나노소재는 평균 크기가 1 nm 내지 1,000 nm인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 판상 구조체가 바인더를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 바인더가 에폭시 수지, 알기네이트계 수지, 폴리우레탄, 폴리알킬렌옥시드, 아크릴계 수지, 비닐계 수지, 아미드 수지, 셀룰로오스 수지 및 키틴계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서, 판상 구조체는 탄소계 나노소재 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 100 중량부의 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이
|
| 11 |
11
탄소계 나노소재를 포함하는 전구 용액을, 벽면 및 바닥면의 열전도도가 서로 상이한 몰드 내에 장입하는 제 1 단계; 제 1 단계에서 전구 용액이 장입된 몰드를 냉각시켜, 전구 용액의 용매의 응고를 통해 주형을 형성하는 제 2 단계; 및
제 2 단계에서 형성된 주형을 제거하는 제 3 단계를 포함하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서, 전구 용액은 (1) 탄소계 나노소재를 산처리하는 단계; 및 (2) 용매 내에서 산처리된 탄소계 나노소재 및 바인더를 혼합하는 단계를 포함하는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서, 단계 (1)의 산처리는 탄소계 나노소재를 산성 용액에 침지시키고, 60℃ 내지 90℃의 온도에서 2 시간 내지 8 시간 동안 유지시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서, 산성 용액은 황산, 질산 및 염산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 15 |
15
제 12 항에 있어서, 단계 (2)에서의 탄소계 나노소재의 혼합 농도가 0
|
| 16 |
16
제 12 항에 있어서, 단계 (2)에서의 바인더의 혼합 농도가 0
|
| 17 |
17
제 12 항에 있어서, 단계 (2)의 용매가 물인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 18 |
18
제 12 항에 있어서, 단계 (2)에서 냉각 보조 용매를 추가로 혼합하는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 19 |
19
제 18 항에 있어서, 냉각 보조 용매가 산, 알코올, 케톤 및 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 20 |
20
제 18 항에 있어서, 냉각 보조 용매의 혼합 농도를 0
|
| 21 |
21
제 11 항에 있어서, 제 1 단계의 몰드의 바닥면 열전도도(Hb) 및 벽면 열전도도(Hw)의 차(Hb - Hw)가 10 W/(m·K) 내지 500 W/(m·K) 인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 22 |
22
제 11 항에 있어서, 제 1 단계의 몰드의 바닥면 열전도도가 10 W/(m·K) 내지 500 W/(m·K)인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 23 |
23
제 11 항에 있어서, 제 1 단계의 몰드 벽면은, 두께가 0
|
| 24 |
24
제 11 항에 있어서, 제 1 단계에서 몰드에 장입되는 전구 용액의 양을 약 0
|
| 25 |
25
제 11 항에 있어서, 제 2 단계의 몰드의 냉각은, 상기 몰드를 냉각 매체 내로 침강시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 26 |
26
제 25 항에 있어서, 몰드의 냉각 매체로의 침강 속도를 1 ㎛/s 내지 3,000 ㎛/s의 범위 내에서 제어하는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 27 |
27
제 25 항에 있어서, 냉각 매체가 액체 질소, 이산화탄소, 프로판, 부탄 또는 암모니아인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 28 |
28
제 25 항에 있어서, 냉각 매체의 온도가 -300℃ 내지 -100℃인 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 29 |
29
제 11 항에 있어서, 제 3 단계에서의 주형의 제거는 동결 건조법에 의해 수행하는 것을 특징으로 하는 마이크로어레이의 제조 방법
|
| 30 |
30
제 29 항에 있어서, 동결 건조는 -30℃ 이하의 온도 및 0
|
