맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

물리적 증착용 타겟 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015125548
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 태양전지 흡수층을 증착하는 데 사용되는 CIS계 타겟 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은 (a) Cu, In, Se 파우더를 1:1:2의 몰비로 준비하는 단계와; (b) 상기 Cu, In, Se 파우더와 금속 볼을 용기 안에 넣고 교반하여, 이 기계적 힘에 의해 CIS 합성 물질을 제조하는 단계와; (c) 상기 합성된 CIS 물질에 Se을 추가로 첨가한 후, 볼밀을 이용하여 혼합하고 압축을 가해 타겟 형태에 대응하는 형상의 펠릿으로 제조하는 단계와; (d) 상기 제조된 펠릿에 대해 열처리를 하여 최종 CIS 타겟을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020090077002 (2009.08.20)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1067337-0000 (2011.09.19)
공개번호/일자 10-2011-0019466 (2011.02.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.20)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조용수 대한민국 서울특별시 서초구
2 연득호 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0508447-89
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0114133-78
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0204440-77
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0204430-10
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0518454-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지 흡수층을 증착하는 데 사용되는 CIS계 타겟 제조 방법으로서, (a) Cu, In, Se 파우더를 1:1:2의 몰비로 준비하는 단계와; (b) 상기 Cu, In, Se 파우더와 금속 볼을 용기 안에 넣고 교반하여, 이 기계적 힘에 의해 CIS 합성 물질을 제조하는 단계와; (c) 상기 합성된 CIS 물질에 Se을 추가로 첨가한 후, 볼밀을 이용하여 혼합하고 압축을 가해 타겟 형태에 대응하는 형상의 펠릿으로 제조하는 단계와; (d) 상기 제조된 펠릿에 대해 열처리를 하여 최종 CIS 타겟을 제조하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 타겟 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 (c) 단계에서 Se은 상기 (b) 단계에서 합성한 CIS 물질에 대해 25~50 wt%의 비율로 추가 첨가되는 것을 특징으로 하는 CIS계 타겟 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 (c) 단계에서 Se은 상기 (b) 단계에서 합성한 CIS 물질에 대해 50 wt%의 비율로 추가 첨가되는 것을 특징으로 하는 CIS계 타겟 제조 방법
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 열처리는 300℃의 온도 및 대기압 중에서 수행하는 것을 특징으로 하는 CIS계 타겟 제조 방법
5 5
태양전지 흡수층을 증착하는 데 사용되는 CIGS계 타겟 제조 방법으로서, (a) Cu, In, Ga, Se 파우더를 1:1-x:x:2(0003c#x003c#1)의 몰비로 준비하는 단계와; (b) 상기 Cu, In, Ga, Se 파우더와 금속 볼을 용기 안에 넣고 교반하여, 이 기계적 힘에 의해 CIGS 합성 물질을 제조하는 단계와; (c) 상기 합성된 CIGS 물질에 Se을 추가로 첨가한 후, 볼밀을 이용하여 혼합하고 압축을 가해 타겟 형태에 대응하는 형상의 펠릿으로 제조하는 단계와; (d) 상기 제조된 펠릿에 대해 열처리를 하여 최종 CIGS 타겟을 제조하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 타겟 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 (c) 단계에서 Se은 상기 (b) 단계에서 합성한 CIGS 물질에 대해 25~50 wt%의 비율로 추가 첨가되는 것을 특징으로 하는 CIGS계 타겟 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 (c) 단계에서 Se은 상기 (b) 단계에서 합성한 CIGS 물질에 대해 50 wt%의 비율로 추가 첨가되는 것을 특징으로 하는 CIGS계 타겟 제조 방법
8 8
청구항 5 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 열처리는 300℃의 온도 및 대기압 중에서 수행하는 것을 특징으로 하는 CIGS계 타겟 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011021800 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2011021800 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011021800 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2011021800 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 연세대학교 산업협력단 산업기술인력양성 차세대광전소자인력양성사업