1 |
1
할로겐 화합물로 표면 처리된 시료; 및상기 시료의 표면에 흡착된 일정 농도의 수은을 포함하는 수은 분석용 표준물질
|
2 |
2
제1항에 있어서,할로겐 화합물이 CCl4, CH2CHCH2Br 및 CH3I로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 수은 분석용 표준물질
|
3 |
3
제1항에 있어서,시료는 고체 시료인 수은 분석용 표준물질
|
4 |
4
제3항에 있어서,고체 시료는 곡물, 식품, 비료, 사료, 고분자, 또는 토양인 수은 분석용 표준물질
|
5 |
5
제1항에 있어서,시료는 분말 형태로 가공된 것인 수은 분석용 표준물질
|
6 |
6
제1항에 있어서,수은은 표면 처리된 시료 1g에 대하여 0
|
7 |
7
시료의 표면에 할로겐 화합물을 처리하는 단계; 및상기 표면 처리된 시료에 일정 농도의 수은을 흡착시키는 단계를 포함하는 수은 분석용 표준물질의 제조방법
|
8 |
8
제7항에 있어서,시료는 분쇄 및 균질화 단계를 통해 가공된 고체 시료인 수은 분석용 표준물질의 제조방법
|
9 |
9
제8항에 있어서,시료는 75㎛ 이하의 크기를 갖는 수은 분석용 표준물질의 제조방법
|
10 |
10
제7항에 있어서,표면 처리 단계는 시료 및 할로겐 화합물의 혼합물을 10,000 내지 20,000 rpm의 속도로 10 내지 15 분 동안 균질화한 후 10 내지 20 분 휴식하는 방법을 1 내지 3회 반복하여 실시하는 수은 분석용 표준물질의 제조방법
|
11 |
11
제7항에 있어서,수은의 흡착 단계는 표면 처리된 시료 및 수은 용액의 혼합물을 10,000 내지 20,000 rpm의 속도로 10 내지 15 분 동안 균질화한 후 10 내지 20 분 휴식하는 방법을 1 내지 3회 반복하여 실시하는 수은 분석용 표준물질의 제조방법
|
12 |
12
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 표준물질을 포함하는 수은 분석 키트
|
13 |
13
제12항에 따른 수은 분석 키트를 이용하여 수은을 분석하는 방법
|