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고분자 스캐폴드를 플레이트 상에 놓는 단계;대기압하에서 플라즈마 공급원으로부터 나오는 플라즈마로 상기 고분자 스캐폴드를 처리하는 단계;를 포함하는 고분자 스캐폴드의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 스캐폴드가 다공성인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,상기 플레이트가 피처리되는 고분자 스캐폴드의 두께보다 0
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제1항에 있어서,플라즈마 발생시의 인가 전압이 1 내지 30kV인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,플라즈마 발생시에 헬륨, 네온, 아르곤, 산소, 질소, 암모니아 및 이들의 혼합기체를 주입하는 것을 특징으로 하는 방법
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제5항에 있어서,상기 가스가 0
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제1항에 있어서,플라즈마 공급원과 고분자 스캐폴드의 거리가 0
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제1항에 있어서,상기 고분자 스캐폴드는 10초 이상 처리되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 스캐폴드는 3분 이상 처리되는 것을 특징으로 하는 방법
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10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 표면 처리하여 얻은, 친수성 표면을 갖는 고분자 스캐폴드
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제10항에 있어서,상기 고분자 스캐폴드가 다공성인 것을 특징으로 하는 고분자 스캐폴드
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