| 1 |
1
메모리 테스트 방법에 있어서:고장 메모리 셀들을 마스터 고장 메모리 셀들, 이중 마스터 고장 메모리 셀들, 독립 고장 메모리 셀들, 초기 행 보완 고장 메모리 셀들 및 초기 열 보완 고장 메모리 셀들로 구분하는 단계;상기 마스터 고장 메모리 셀들을 참조하여 제 1 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계;상기 마스터 고장 메모리 셀들, 상기 이중 마스터 고장 메모리 셀들 및 상기 독립 고장 메모리 셀들을 참조하여 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계;상기 마스터 고장 메모리 셀들, 상기 초기 행 보완 고장 메모리 셀들 및 상기 초기 열 보완 고장 메모리 셀들을 참조하여 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계; 및상기 제 1 내지 제 3 초기 종결 조건 중 어느 하나라도 만족하는 경우, 테스트 대상 메모리를 불량으로 판정하는 단계를 포함하는 메모리 테스트 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계에서,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수가 스페어 행들의 수와 스페어 열들의 수를 합한 값보다 크면, 상기 제 1 초기 종결 조건을 만족하는 메모리 테스트 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계에서,상기 독립 고장 메모리 셀들에 대한 슬레이브 고장 메모리 셀들이 공유하는 행 어드레스(이하, 공유 행 어드레스라고 칭함)의 수와 열 어드레스의 수(이하, 공유 열 어드레스라고 칭함) 중 최소값이 0이고, 상기 공유 행 어드레스의 수와 상기 공유 열 어드레스의 수 중 최대값이 상기 독립 고장 메모리 셀들의 수보다 작을 때,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수, 상기 이중 마스터 고장 메모리 셀들의 수, 상기 공유 행 어드레스의 수, 상기 공유 열 어드레스의 수를 모두 합한 값에서 상기 독립 고장 메모리 셀들의 수를 뺀 값이, 스페어 행들의 수와 스페어 열들의 수를 합한 값보다 크면, 상기 제 2 초기 종결 조건을 만족하는 메모리 테스트 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계에서,상기 독립 고장 메모리 셀들에 대한 슬레이브 고장 메모리 셀들이 공유하는 행 어드레스(이하, 공유 행 어드레스라고 칭함)의 수와 열 어드레스의 수(이하, 공유 열 어드레스라고 칭함) 중 최소값이 0보다 크고, 상기 공유 행 어드레스의 수와 상기 공유 열 어드레스의 수 중 최대값이 상기 독립 고장 메모리 셀들의 수보다 작을 때,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수, 상기 이중 마스터 고장 메모리 셀들의 수, 상기 최소값을 모두 합한 값에서 상기 독립 고장 메모리 셀들의 수를 뺀 값이, 스페어 행들의 수와 스페어 열들의 수를 합한 값보다 크면, 상기 제 2 초기 종결 조건을 만족하는 메모리 테스트 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계에서,상기 독립 고장 메모리 셀들에 대한 슬레이브 고장 메모리 셀들이 공유하는 행 어드레스(이하, 공유 행 어드레스라고 칭함)의 수와 열 어드레스의 수(이하, 공유 열 어드레스라고 칭함) 중 최소값이 상기 독립 고장 메모리 셀들의 수보다 크거나, 상기 공유 행 어드레스의 수와 상기 공유 열 어드레스의 수 중 최대값이 0일 때,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수와 상기 이중 마스터 고장 메모리 셀들의 수를 합한 값이, 스페어 행들의 수와 스페어 열들의 수를 합한 값보다 크면, 상기 제 2 초기 종결 조건을 만족하는 메모리 테스트 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계에서,상기 초기 행 보완 고장 메모리 셀들의 수가 스페어 행들의 수보다 클 때,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수와 상기 초기 행 보완 고장 메모리 셀들의 수를 합한 값에서 상기 스페어 행들의 수에 2를 곱한 값 및 상기 마스터 고장 메모리 셀들이 공유하는 슬레이브 고장 메모리 셀들의 수를 뺀 값이, 스페어 열들의 수보다 크면, 제 3 초기 종결 조건을 만족하는 메모리 테스트 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계에서,상기 초기 열 보완 고장 메모리 셀들의 수가 스페어 열들의 수보다 클 때,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수와 상기 초기 열 보완 고장 메모리 셀들의 수를 합한 값에서 상기 스페어 열들의 수에 2를 곱한 값 및 상기 마스터 고장 메모리 셀들이 공유하는 슬레이브 고장 메모리 셀들의 수를 뺀 값이, 스페어 행들의 수보다 크면, 제 3 초기 종결 조건을 만족하는 메모리 테스트 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 제 1 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계에서, 상기 제 1 초기 종결 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계가 수행되고,상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계에서, 상기 제 2 초기 종결 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 단계가 수행되는 메모리 테스트 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 초기 종결 조건을 모두 만족하지 않는 경우, 상기 테스트 대상 메모리를 수리하는 단계를 더 포함하는 메모리 테스트 방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 테스트 대상 메모리를 수리하는 단계에서,상기 고장 메모리 셀들이 포함한 행들은 스페어 행들로 대체되는 메모리 테스트 방법
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서,상기 테스트 대상 메모리를 수리하는 단계에서,상기 고장 메모리 셀들이 포함한 열들은 스페어 열들로 대체되는 메모리 테스트 방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 고장 메모리 셀들에 대한 정보는 외부 테스트 장치에 저장되는 단계를 더 포함하는 메모리 테스트 방법
|
| 13 |
13
메모리 테스트 시스템에 있어서:메모리 셀 어레이, 스페어 행들 및 스페어 열들을 포함하는 메모리 장치; 및상기 메모리 셀 어레이 내의 고장 메모리 셀들을 고장 메모리 셀들을 마스터 고장 메모리 셀들, 이중 마스터 고장 메모리 셀들, 독립 고장 메모리 셀들, 초기 행 보완 고장 메모리 셀들 및 초기 열 보완 고장 메모리 셀들로 구분하고, 제 1 내지 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부에 따라 상기 메모리 장치의 불량 여부를 판정하는 테스트 장치를 포함하고,상기 제 1 초기 종결 조건의 만족 여부는 상기 마스터 고장 메모리 셀들을 참조하여 판단되고, 상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부는 상기 마스터 고장 메모리 셀들, 상기 이중 마스터 고장 메모리 셀들 및 상기 독립 고장 메모리 셀들을 참조하여 판단되고, 상기 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부는 상기 마스터 고장 메모리 셀들, 상기 초기 행 보완 고장 메모리 셀들 및 상기 초기 열 보완 고장 메모리 셀들을 참조하여 판단되는 메모리 테스트 시스템
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,상기 테스트 장치는,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수를 상기 스페어 행들의 수와 상기 스페어 열들의 수를 합한 값과 비교하여 상기 제 1 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 메모리 테스트 시스템
|
| 15 |
15
제 13 항에 있어서,상기 테스트 장치는,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수, 상기 이중 마스터 고장 메모리 셀들의 수, 상기 독립 고장 메모리 셀들에 대한 슬레이브 고장 메모리 셀들이 공유하는 행 어드레스의 수와 열 어드레스의 수를 모두 합한 값에서 상기 독립 고장 메모리 셀들의 수를 뺀 값을, 상기 스페어 행들의 수와 상기 스페어 열들의 수를 합한 값과 비교하여 상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 메모리 테스트 시스템
|
| 16 |
16
제 13 항에 있어서,상기 테스트 장치는,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수, 상기 이중 마스터 고장 메모리 셀들의 수, 상기 독립 고장 메모리 셀들에 대한 슬레이브 고장 메모리 셀들이 공유하는 행 어드레스의 수와 열 어드레스의 수 중 최소값을 모두 합한 값에서 상기 독립 고장 메모리 셀들의 수를 뺀 값을, 상기 스페어 행들의 수와 상기 스페어 열들의 수를 합한 값과 비교하여 상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 메모리 테스트 시스템
|
| 17 |
17
제 13 항에 있어서,상기 테스트 장치는,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수와 상기 이중 마스터 고장 메모리 셀들의 수를 합한 값을, 상기 스페어 행들의 수와 상기 스페어 열들의 수를 합한 값과 비교하여 상기 제 2 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 메모리 테스트 시스템
|
| 18 |
18
제 13 항에 있어서,상기 테스트 장치는,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수와 상기 초기 행 보완 고장 메모리 셀들의 수를 합한 값에서 상기 스페어 행들의 수에 2를 곱한 값 및 상기 마스터 고장 메모리 셀들이 공유하는 슬레이브 고장 메모리 셀들의 수를 뺀 값을, 상기 스페어 열들의 수와 비교하여 상기 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 메모리 테스트 시스템
|
| 19 |
19
제 13 항에 있어서,상기 테스트 장치는,상기 마스터 고장 메모리 셀들의 수와 상기 초기 열 보완 고장 메모리 셀들의 수를 합한 값에서 상기 스페어 열들의 수에 2를 곱한 값 및 상기 마스터 고장 메모리 셀들이 공유하는 슬레이브 고장 메모리 셀들의 수를 뺀 값을, 상기 스페어 행들의 수와 비교하여 상기 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부를 판단하는 메모리 테스트 시스템
|
| 20 |
20
제 13 항에 있어서,상기 테스트 장치는,상기 제 1 내지 제 3 초기 종결 조건의 만족 여부를 차례대로 판단하고, 상기 제 1 내지 제 3 초기 종결 조건 중 어느 하나라도 만족하는 경우, 상기 메모리 장치를 불량으로 판정하는 메모리 테스트 시스템
|
