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태양전지용 실리콘제조를 위한 acid leaching을 이용한 MG-Si중 불순물의 정련방법

  • 기술번호 : KST2015125689
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지용 실리콘제조를 위한 acid leaching을 이용한 MG-Si중 불순물의 정련방법이 제공된다.본 발명은, MG-Si 중 불순물을 정련하는 공정에 있어서, 산 용액에 부식저항성이 강한 pyrex beaker, carbon vessel, Al2O3 vessel, Tefron vessel 및 MgO vessel 중 선택된 하나의 용기를 마련하는 공정; 상기 용기에 MG-Si 실리콘에 부식성이 없는 HCl, HNO3, H2SO4, 및 HF 중 선택된 1종 이상의 산용액을 공급하는 공정; 상기 산 용액이 공급된 용기 내에 실리콘과 산용액의 중량비가 1:0.5~2를 만족하도록 MG-Si을 공급하는 공정; 및 상기 용기 내에서 MG-Si을 사전 설정된 온도와 시간 동안 유지함으로써 산용액과 Si과의 계면반응에 의한 Si중 불순물을 이온상태로 제거하는 공정;을 포함하는 acid leaching 공정을 이용한 MG-Si중 불순물의 정련방법에 관한 것이다.
Int. CL B09B 3/00 (2006.01) C01B 33/037 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100063299 (2010.07.01)
출원인 연세대학교 산학협력단, (주)리뉴에너지, 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1180353-0000 (2012.08.31)
공개번호/일자 10-2012-0002677 (2012.01.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.01)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 (주)리뉴에너지 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민동준 대한민국 서울특별시 강남구
2 정은진 대한민국 인천광역시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 이창희 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, B동, ****호(국제특허이창)
3 김성태 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
4 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
5 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)
6 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
2 (주)리뉴에너지 경기도 수원시 장안구
3 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0426253-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0057953-25
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0746628-67
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0119978-80
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0142287-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0203671-73
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0203683-10
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0235422-16
11 보정요구서
Request for Amendment
2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0034199-07
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0243375-90
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137276-45
16 등록결정서
Decision to grant
2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0503357-46
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-5001983-86
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
슬래그 정련을 통하여 불순물이 1차적으로 제거된 MG-Si 중 불순물을 정련하는 공정에 있어서, 산 용액에 부식저항성이 강한 pyrex beaker, carbon vessel, Al2O3 vessel, Tefron vessel 및 MgO vessel 중 선택된 하나의 용기를 마련하는 공정;상기 용기에 MG-Si 실리콘에 부식성이 없는 HCl, HNO3, H2SO4, 및 HF 중 선택된 1종 이상의 산용액을 공급하는 공정; 상기 산 용액이 공급된 용기 내에 실리콘과 산용액의 중량비가 1:0
2 2
제 1항에 있어서, 상기 유지 온도는 상온 이상 300℃ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 acid leaching 공정을 이용한 MG-Si중 Ca, P 불순물의 정련방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 유지시간은 1~24시간으로 함을 특징으로 하는 acid leaching 공정을 이용한 MG-Si중 Ca, P 불순물의 정련방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 산용액으로 HF를 이용하는 경우, 상기 유지시간은 1시간 이하로 하는 것을 특징으로 하는 acid leaching 공정을 이용한 MG-Si중 Ca, P 불순물의 정련방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 용기내 공급되는 Si의 입도를 1cm 이하로 하는 것을 특징으로 하는 acid leaching 공정을 이용한 MG-Si중 Ca, P 불순물의 정련방법
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2012002665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012002665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 WO2012002665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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