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도전성 분말, 5 내지 200℃의 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리, 그리고유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 과냉각 액체 구간은 20 내지 100 ℃ 인 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 과냉각 액체 구간은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위이고,상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타내는 도전성 페이스트
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제4항에서,상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 100℃ 이상인 도전성 페이스트
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제4항에서,상기 금속 유리의 결정화 온도는 800℃ 이하인 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 30 내지 98 중량%, 1 내지 50중량% 및 잔량으로 포함되어 있는 도전성 페이스트
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도전성 분말, 5 내지 200℃의 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자
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제8항에서,상기 과냉각 액체 구간은 20 내지 100℃ 인 전자 소자
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제8항에서,상기 과냉각 액체 구간은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위이고,상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타내는 전자 소자
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제11항에서,상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 100℃ 이상이며,상기 금속 유리의 결정화 온도는 800℃ 이하인전자 소자
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반도체 층, 그리고상기 반도체 층에 전기적으로 연결되어 있으며 도전성 분말, 5 내지 200℃의 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 태양 전지
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제13항에서,상기 과냉각 액체 구간은 20 내지 100℃ 인 태양 전지
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제13항에서,상기 과냉각 액체 구간은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위이고,상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타내는 태양 전지
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제16항에서,상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 100℃ 이상이며,상기 금속 유리의 결정화 온도는 800℃ 이하인태양 전지
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제16항에서,상기 과냉각 액체 구간에서 상기 도전성 분말은 상기 금속 유리 및 상기 반도체 층 중 적어도 하나에 확산되어 유입되는 태양 전지
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제13항에서,상기 반도체 층과 상기 전극 사이에 위치하며 상기 금속 유리를 포함하는 버퍼층을 더 포함하는 태양 전지
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제19항에서,상기 버퍼층은 결정화된 상기 금속 유리 및 결정화된 상기 도전성 분말을 포함하는 태양 전지
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