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금속 또는 산화물 전구체를 포함하는 전구체 용액을 준비하고,
상기 전구체 용액을 기판에 도포하여 박막 또는 패턴화된 박막을 형성하고,
상기 박막에 마이크로웨이브를 가하여 박막을 열처리하는 것을 특징으로 하는
용액 공정 기반 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판에 SiC 재질의 서셉터를 지지시키고 이 서셉터를 통해 박막에 열을 가하는 것을 병행하는 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막에 마이크로웨이브를 가하면서, 산소, 수소, 질소, 아르곤, 진공 중의 어느 하나로 분위기를 제어하는 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 전구체 용액은 솔-젤 용액, 금속/세라믹/고분자 콜로이드, 유기 또는 무기 금속염 용액, 유기금속(metallorganic) 화합물 용액 중의 어느 하나인 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 전구체 용액은 금속 질화물 또는 금속 아세테이트 형태의 금속염과, 물 또는 유기 용매, 착화제 및 코팅 향상 첨가제를 포함하는 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막은 전극, 유전체, 반도체, 저항체, 발열체, 전자파 차폐재 중의 어느 하나인 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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7
제1항에 있어서, 상기 전구체 용액은 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 그라비아 프린팅, 오프셋 프린팅, 나노임프린트, EHP (electrohydrodynamic printing) 중의 어느 하나의 방법으로 기판에 도포하는 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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8
제1항에 있어서, 상기 박막의 열처리 온도는 100 ~ 300℃ 의 범위인 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막의 열처리 시간은 1 분 ~ 1시간의 범위인 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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연속적으로 이송하는 기판에 대하여, 적어도 기판의 한쪽 표면에 유기, 금속 또는 산화물 전구체를 포함하는 용액을 도포하여 연속적으로 박막을 형성하고,
상기 이송하는 기판을 열처리부로 인도하여 기판에 도포된 박막에 마이크로웨이브를 가하여 연속적으로 열처리하는 것을 특징으로 하는
용액 공정 기반 박막 형성 방법
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제10항에 있어서, 상기 용액은 회전하는 롤러를 통해 상기 기판 표면에 박막 또는 패턴화된 박막으로 연속적으로 전사되는 것을 특징으로 하는 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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제10항에 있어서, 상기 열처리부에는 연속적으로 이송하는 기판의 상부 또는 하부에 서셉터가 배치되어 있는 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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13
제10항에 있어서, 상기 기판은 유리, 반도체, 유연성 고분자 필름, 경질 인쇄회로기판 중의 어느 하나인 용액 공정 기반 박막 형성 방법
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