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반전증폭기 및 반전증폭기 기반 시스템

  • 기술번호 : KST2015125897
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반전기 기반 시스템 및 반전기가 개시된다. 본 발명에 따른 반전기 기반 시스템은, 반전기들을 포함하며 상기 반전기들을 이용하여 입력 신호를 처리하여 출력 신호를 생성하는 반전기 기반 회로; 적어도 하나의 반전기를 포함하며 상기 반전기의 특성을 측정하는 측정부; 및 상기 측정부의 측정 결과에 따라서 상기 반전기 기반 회로에 포함된 반전기의 특성을 조정하기 위한 제어 신호를 생성하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의하면 공정, 전압, 온도의 변화에도 반전기의 특성을 조정할 수 있어서, 공정, 전압, 온도의 변화에도 안정적으로 동작하는 반전기 기반 시스템을 구현할 수 있다. 반전기, 반전기 기반 시스템
Int. CL H03K 19/08 (2006.01) H03K 17/04 (2006.01)
CPC H03K 5/1565(2013.01) H03K 5/1565(2013.01) H03K 5/1565(2013.01)
출원번호/일자 1020090069603 (2009.07.29)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1069377-0000 (2011.09.26)
공개번호/일자 10-2011-0012058 (2011.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.29)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한건희 대한민국 경기도 고양시 덕양구
2 채영철 대한민국 서울특별시 서대문구
3 이인희 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인우인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 중평빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0466566-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0072535-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0112608-17
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0306384-77
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0391242-74
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0391241-28
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0538279-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
반전증폭기들을 포함하며 상기 반전증폭기들을 이용하여 입력 신호를 처리하여 출력 신호를 생성하는 반전증폭기 기반 회로; 적어도 하나의 반전증폭기를 포함하며 상기 반전증폭기의 특성을 측정하는 측정부; 및 상기 측정부의 측정 결과에 따라서 상기 반전증폭기 기반 회로에 포함된 반전증폭기의 특성을 조정하기 위한 제어 신호를 생성하는 제어부를 포함하고, 상기 반전증폭기 기반 회로에 포함된 반전증폭기는, 각각이 VDD 전원에 연결되고, 각각의 게이트가 공통인 복수 개의 제1 PMOS 트랜지스터들; 각각이 VSS 전원에 연결되고, 각각의 게이트가 공통인 복수 개의 제1 NMOS 트랜지스터들; 상기 복수 개의 제1 PMOS 트랜지스터 각각에 직렬로 연결되고, 게이트에 입력되는 상기 제어부로부터의 제어 신호에 따라 온 또는 오프되는 복수 개의 제2 PMOS 트랜지스터들; 및 상기 복수 개의 제1 NMOS 트랜지스터들 각각에 직렬로 연결되고, 게이트에 입력되는 상기 제어부로부터의 제어 신호에 따라 온 또는 오프되는 복수 개의 제2 NMOS 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반전증폭기 기반 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 VDD 전원과 상기 VSS 전원 사이에 상기 VDD 전원으로부터 상기 VSS 전원으로 상기 제1 PMOS 트랜지스터, 상기 제2 PMOS 트랜지스터, 상기 제2 NMOS 트랜지스터, 및 상기 제1 NMOS 트랜지스터가 순서대로 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 반전증폭기 기반 장치
4 4
제2항에 있어서, 상기 반전증폭기의 입력단은 공통으로 연결된 상기 제1 PMOS 트랜지스터들의 게이트 및 상기 제1 NMOS 트랜지스터들의 게이트에 해당하고, 상기 반전증폭기의 출력단은 공통으로 연결된 상기 제2 PMOS 트랜지스터와 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 연결단들에 해당하는 것을 특징으로 하는 반전증폭기 기반 장치
5 5
제2항에 있어서, 상기 측정부는 펄스 파형을 상기 반전증폭기로의 입력 신호로 하여 상기 반전증폭기로부터 출력되는 신호의 상승 시간 또는 하강 시간을 상기 반전증폭기의 특성으로서 측정하는 것을 특징으로 하는 반전증폭기 기반 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 측정된 상승시간 또는 하강 시간에 따라서 상기 제2 PMOS 트랜지스터들 및 상기 제2 NMOS 트랜지스터들을 각각 온 또는 오프시키기 위한 제어 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반전증폭기 기반 장치
7 7
제2항에 있어서, 상기 측정부는, 반전증폭기들로 이루어지는 링 오실레이터를 포함하고, 상기 링 오실레이터로부터 출력되는 일정 주기를 가지는 펄스 파형의 주기 또는 주파수를 상기 반전증폭기의 특성으로서 측정하는 것을 특징으로 하는 반전증폭기 기반 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 제어부는 상기 측정된 주기 또는 주파수에 따라서 상기 제2 PMOS 트랜지스터들 및 상기 제2 NMOS 트랜지스터들을 각각 온 또는 오프시키기 위한 제어 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반전증폭기 기반 장치
9 9
제2항에 있어서, 상기 측정부에 포함된 반전증폭기 역시 상기 반전증폭기 기반 회로에 포함된 반전증폭기와 동일한 구성을 가지는 것을 특징으로 하는 반전증폭기 기반 장치
10 10
각각이 VDD 전원에 연결되고, 각각의 게이트가 공통인 복수 개의 제1 PMOS 트랜지스터들; 각각이 VSS 전원에 연결되고, 각각의 게이트가 공통인 복수 개의 제1 NMOS 트랜지스터들; 상기 복수 개의 제1 PMOS 트랜지스터 각각에 직렬로 연결되고, 각각의 게이트에 입력되는 외부로부터의 제어 신호에 따라 온 또는 오프되는 복수 개의 제2 PMOS 트랜지스터들; 및 상기 복수 개의 제1 NMOS 트랜지스터들 각각에 직렬로 연결되고, 각각의 게이트에 입력되는 외부로부터의 제어 신호에 따라 온 또는 오프되는 복수 개의 제2 NMOS 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반전증폭기
11 11
제10항에 있어서, 상기 VDD 전원과 상기 VSS 전원 사이에 상기 VDD 전원으로부터 상기 VSS 전원으로 상기 제1 PMOS 트랜지스터, 상기 제2 PMOS 트랜지스터, 상기 제2 NMOS 트랜지스터, 및 상기 제1 NMOS 트랜지스터가 순서대로 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 반전증폭기
12 12
제10항에 있어서, 상기 반전증폭기의 입력단은 공통으로 연결된 상기 제1 PMOS 트랜지스터들의 게이트 및 상기 제1 NMOS 트랜지스터들의 게이트에 해당하고, 상기 반전증폭기의 출력단은 공통으로 연결된 상기 제2 PMOS 트랜지스터와 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 연결단들에 해당하는 것을 특징으로 하는 반전증폭기
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국가 R&D 정보가 없습니다.