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금속 분말 및 티타늄(Ti)계 금속 유리를 포함하는 도전성 성분을 포함하고,상기 티타늄계 금속 유리는 5K 이상의 과냉각 액체 구간을 가지고 결정화 후 비저항이 결정화 전 비저항보다 50% 이상 낮아지며소성 온도에서 중량 증가량이 0
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제1항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 5 내지 200K의 과냉각 액체 구간을 가지는 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 결정화 후 비저항이 200μΩ㎝ 이하인 도전성 페이스트
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제3항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 대기 중에서 300 내지 800℃로 열처리하여 결정화되는 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 도전성 페이스트의 소성 온도는 300 내지 1000℃인 도전성 페이스트
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제1항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 Ti50Cu50, Ti57Cu43, Ti49
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제1항에서,상기 금속 분말은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 이들의 조합을 포함하는 도전성 페이스트
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제1항에서, 상기 금속 분말 및 상기 티타늄계 금속 유리는 상기 도전성 성분의 총 함량에 대하여 각각 5 내지 95중량% 및 5 내지 95중량%로 포함되는 도전성 페이스트
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제1항에서,바인더를 더 포함하는 도전성 페이스트
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제9항에서,상기 바인더는 유리 프릿(glass frit), 금속 유리 또는 이들의 조합을 포함하는 도전성 페이스트
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금속 분말 및 티타늄(Ti)계 금속 유리를 포함하는 도전성 성분을 포함하는 도전성 페이스트의 소성물을 포함하는 전극을 포함하고,상기 티타늄계 금속 유리는 5K 이상의 과냉각 액체 구간을 가지고 결정화 후 비저항이 결정화 전 비저항보다 50% 이상 낮아지며소성 온도에서 중량 증가량이 0
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제11항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 5 내지 200K의 과냉각 액체 구간을 가지고, 결정화 후 비저항이 200μΩ㎝ 이하인 전자 소자
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제11항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 Ti50Cu50, Ti57Cu43, Ti49
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제11항에서,상기 금속 분말 및 상기 티타늄계 금속 유리는 상기 도전성 성분의 총 함량에 대하여 각각 5 내지 95중량% 및 5 내지 95중량%로 포함되는 전자 소자
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반도체 층, 그리고상기 반도체 층에 전기적으로 연결되어 있으며 도전성 성분을 포함하는 도전성 페이스트의 소성물을 포함하는 전극을 포함하고,상기 도전성 성분은 금속 분말 및 티타늄계 금속 유리를 포함하며,상기 티타늄계 금속 유리는 5K 이상의 과냉각 액체 구간을 가지고 결정화 후 비저항이 결정화 전 비저항보다 50% 이상 낮아지며소성 온도에서 중량 증가량이 0
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제15항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 5 내지 200K의 과냉각 액체 구간을 가지는 태양 전지
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제15항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 결정화 후 비저항이 200μΩ㎝ 이하인 태양 전지
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제15항에서,상기 티타늄계 금속 유리는 Ti50Cu50, Ti57Cu43, Ti49
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제15항에서,상기 금속 분말은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni) 또는 이들의 조합을 포함하는 을 포함하는 태양 전지
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제15항에서,상기 반도체 층과 상기 전극 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함하는 태양 전지
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제20항에서,상기 버퍼층은 유리 프릿, 금속 유리 또는 이들의 조합을 포함하는 태양 전지
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