맞춤기술찾기

이전대상기술

박막 집적 전자소자를 이용한 박테리아 및 바이러스의 측정방법 및 측정장치

  • 기술번호 : KST2015125915
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 집적 전자 소자를 이용한 박테리아 및 바이러스의 측정장치 및 측정방법에 대한 것으로, 보다 상세하게는 박테리아 배양 배지 또는 뉴라미니다아제(neuraminidase)의 기질을 포함하는 생체 고분자 물질이 집적된 박막과 전극이 통합한 전자 소자를 이용하여, 박테리아의 대사 작용 및 바이러스 유래 효소 반응에 의한 박막의 전기 화학적 변화를 측정하여 박테리아 및 바이러스의 유무 및 농도를 측정하는 측정 장치 및 그 방법에 관한 것이다.본 발명인 박테리아 및 바이러스의 전기 화학적 검침 장치는 실리콘 웨이퍼로 이루어지며, 상부에 이산화규소 층을 구비하는 기판부, 상기 이산화규소 층 상단에 위치되는 전극부, 상기 전극부의 위에 위치되며, 박테리아 배양 배지 혹은 뉴라미니다아제의 기질을 포함하는 고분자 생체 물질 집적 박막과 전극을 포함하는 박테리아 및 바이러스의 전기 화학적 변화 측정 센서를 적어도 구비하는 것을 특징으로 한다.뉴라미니다아제, Neuraminidase, 박테리아, 임피던스 측정
Int. CL G01N 27/02 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090084623 (2009.09.08)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1269173-0000 (2013.05.23)
공개번호/일자 10-2011-0026820 (2011.03.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.24)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정효일 대한민국 서울 서초구
2 최아미 대한민국 서울 성북구
3 김수현 대한민국 경기도 김포시 전원로 **-*

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 민혜정 대한민국 서울특별시 송파구 오금로 **, ***호(방이동, 잠실리시온)(스텔라국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0553004-11
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0716812-19
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0854421-98
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0854534-48
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0019183-30
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0442971-06
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0797094-58
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0803217-75
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0890020-06
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0890043-45
13 등록결정서
Decision to grant
2013.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0199824-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼로 이루어지며, 상부에 이산화규소 층을 구비하는 기판부;상기 이산화규소 층 상단에 위치되는 전극부;상기 전극부의 위에 위치되며, 뉴라미니다아제의 기질을 가진 박막 고체배지로 이루어진 멤브레인;을 포함하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서를 구비하는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 장치
2 2
박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서를 구비하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 장치에 있어서,상기 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서는하단에 위치되는 기판부;상기 기판부의 윗면에 위치되며, 서로 마주보는 2개의 전극을 구비하는 전극부;상기 전극부의 위에 위치되며, 뉴라미니다아제의 기질을 가진 박막 고체배지로 이루어진 멤브레인;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 장치
3 3
오염되지 않은 깨끗한 공기를 공급하여 주는 청정공기 발생 시스템(410);상기 청정공기 발생 시스템(410)으로 부터의 공기의 유량을 제어해주는 유체흐름제어기(MFC)(420);상기 유체흐름제어기(MFC)(420)를 통해 들어온 공기를 이용하여, 용기 내에 액상으로 녹아 있는 병원성 미생물을 에어로솔화 하여 분무하는 분무기(430);상기 분무기(430)에서 분무되는 에어로솔의 유량을 제어하는 피치 크램프(440);상기 분무기(430)으로 부터 분무되어 입력된 박테리아 및 바이러스를 생장시키는 잉큐베이터(450);상기 잉큐베이터(450)에서 자라난 박테리아 및 바이러스로부터 전기적 신호를 검출하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서(10);상기 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서(10)로부터 측정된 전기적 신호로부터 박테리아 및 바이러스에 따른 임피던스의 변화값을 측정하는 임피던스 분석기(470);를 구비하는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
4 4
제1항에 있어서,박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서는 인플루엔자 바이러스 검침하는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
5 5
제1항에 있어서,전극부의 전극은 백금전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
6 6
제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,멤브레인은 Su-8을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
7 7
제1항에 있어서,멤브레인의 뉴라미니데이즈 기질 집적 박막은 고체 배지로서, 박테리아의 대사 활동에 의해 멤브레인의 상기 고체 배지의 고분자 물질은 전기적 성질을 띠는 이온 물질로 전환되며, 생성된 이온 물질은 상기 고체 배지의 다공성 구조를 통해 상기 배지 표면에서 안쪽(아래쪽)으로 이동되며, 이온 물질의 이동에 따라 상기 배지의 전기적 물성치가 변화하게 되며, 이에따라, 멤브레인은 박테리아의 성장에 따른 상기 배지의 전기적 물성치를 실시간으로 측정하는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
8 8
제1항에 있어서,멤브레인은, 멤브레인의 최상층에 위치되며, 멤브레인의 표면에 뉴라미니다아제의 기질이 코팅되어 있어, 다당류를 분해하여 갈락토스(galactose)를 형성하게 하는 다당류층;상기 다당류층의 밑에 형성되는 층으로, 상기 갈락토스가 갈락토스 산화효소에 의해 산화되어 과산화수소(H2O2)를 생성하는 갈락토스 산화효소 층(GAO 층);갈락토스 산화효소 층(GAO 층)의 밑에 위치되는 층으로, 상기 갈락토스 산화효소 층에서 발생된 과산화수소는 양고추냉이 페록시디아제(HRP)가 존재 시 산화되어 전자를 환원시키는 양고추냉이 페록시디아제 층(HRP 층);으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
9 9
제8항에 있어서,양고추냉이 페록시디아제 층(HRP 층)의 밑에 집적되어 있으며, 양고추냉이 페록시디아제 층(HRP 층)에서 최종 산물로 환원되어 나오는 전자를 검침하여, 결과적으로 바이러스를 검침하게 하는 전극층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
10 10
제2항에 있어서,전극부는 서로 마주보는 2개의 전극으로 이루어지되, 상기 전극들은 다수개의 가지를 갖는 전극으로 이루어지며, 상기 2개의 전극의 가지가 교대로 이격되어 놓여지는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
11 11
제2항에 있어서,박막 고체배지의 재료로서, Peptone, Extract, NaCl, Phosphate, Dextrose 중 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
12 12
제3항에 있어서,상기 분무기의 에어로솔의 분주는 1-제트(1-jet) 분무기를 이용하여 20lpm의 유량으로 샘플을 분주하는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
13 13
제3항에 있어서,상기 잉큐베이터는 70%의 습도와 37℃에 온도를 유지하는 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 유무를 측정하는 측정장치
14 14
뉴라미니다아제의 기질을 가진 박막 고체배지로 이루어진 멤브레인; 상기 멤브레인의 밑에 위치되는 전극부;를 포함하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서의 제조방법에 있어서,상기 멤브레인은 실리콘 웨이퍼상에 SU-8을 코팅하는 SU-8코팅단계;상기 SU-8코팅단계에서 SU-8층의 상단을 포토레지스트(PR)로 패턴을 형성하도록 마스킹하고 노출시키는 노출단계;상기 노출단계에서 패터닝된 실리콘 웨이퍼를 현상하여 멤브레인을 형성하기위한 멤브레인 틀을 만드는 SU-8 현상단계;상기 SU-8 현상단계에서 멤브레인 틀에 PDMS(polydimethylsiloxane)를 넣고 경화하는 PDMS 경화단계;상기 PDMS 경화단계에서 멤브레인 틀에 PDMS를 분리하여, 마이크로채널을 가진 멤브레인을 형성하는 PDMS 분리단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서의 제조방법
15 15
뉴라미니데이즈 기질 집적 박막으로 이루어진 멤브레인; 상기 멤브레인의 밑에 위치되는 전극부;를 포함하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서의 제조방법에 있어서,상기 전극부는,웨이퍼의 제일 상단을 포토레지스트(PR)을 코팅하는 PR코팅단계;상기 PR코팅단계에서 PR코팅된 웨이퍼상에 패턴을 형성시키는 금속패터닝단계;상기 금속패터닝단계에서 금속패터닝된 웨이퍼를 에칭하여 양성 감광 수지막 패턴을 형성하는 에칭단계;음성 감광 수지막 패턴을 포함하는 지지기판 상에 미소전극용 금속막을 형성하는 금속막 형성단계;금속막 하부에 형성된 음성 감광 수지막 패턴을 제거하는 음성감광수지막 패턴제거단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박테리아 및 바이러스의 임피던스 측정 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 환경부 연세대학교 산학협력단 환경부 차세대 핵심환경과제 전자소자를 이용한 수질 유해균 검출 키트 개발